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42878-6554  42878-8554  42784AG-08SR  42842C  42878-9128  42819  42878-4362  42878-4410  42878-1001  42818-0212  
HMC636ST89 砷化镓pHEMT的高线性增益模块, 0.2 - 4.0 GHz的 (GaAs pHEMT High Linearity Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz)
.型号:   HMC636ST89
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描述: 砷化镓pHEMT的高线性增益模块, 0.2 - 4.0 GHz的
GaAs pHEMT High Linearity Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz
文件大小 :   649 K    
页数 : 6 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块, 0.2 - 4.0 GHz的
增益与温度
16
14
12
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应( dB)的
S21
S11
S22
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
增益(dB )
5
10
8
6
4
2
0
+25C
+85C
-40C
9
3
4
3
4
5
6
0
1
2
频率(GHz )
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗(分贝)
-10
回波损耗(分贝)
-5
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
+25C
+85C
-40C
-15
-20
0
1
2
频率(GHz )
3
4
-20
0
1
2
频率(GHz )
3
4
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度(dB )
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
9
-5
8
噪声系数(dB )
7
6
5
4
3
2
1
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
0
1
2
频率(GHz )
3
4
0
0
1
2
频率(GHz )
3
4
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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