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HMC637LP5 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637LP5
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   620 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
特点
的P1dB输出功率: +29 dBm的
增益: 13分贝
输出IP3 : 40 dBm的
50欧姆匹配输入/输出
32引线5x5毫米铅SMT封装: 25毫米
2
典型应用
该HmC637lp5 (五)宽带PA的理想选择:
•电信基础设施
•微波无线电& VSAT
•军事&空间
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
•测试仪表
•光纤
工作原理图
概述
该HmC637lp5 (e)是一个砷化镓MESFET
分布式电源放大器工作bet-
吐温DC和6 GHz 。该放大器提供13分贝
增益, + 40 dBm的输出IP3和+29 dBm的输出的
同时要求400电源1 dB增益压缩
毫安从+ 12V电源。增益平坦度是优秀的
±0.75 dB处的DC - 6 GHz的制作HmC637lp5 (五)
理想的EW , ECM ,雷达和测试设备
应用程序。该HmC637lp5 (五)放大器的I / O
内部匹配到50欧姆, 5×5毫米
QFN封装是高量的SMT兼容
组装设备。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = + 12V , Vgg2 = + 5V ,国际长途= 400毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD)
320
27
12
分钟。
典型值。
DC - 6
13
±0.75
0.025
12
15
29
29.5
40
5
400
480
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG1 -2之间为0V ,实现独立同= 400 mA典型。
9-1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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