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HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
增益与温度
18
16
宽带增益&回波损耗
20
10
响应( dB)的
S21
S11
S22
14
12
增益(dB )
10
8
+25C
+85C
-55C
0
3
0
2
4
频率(GHz )
6
8
-10
-20
4
2
-30
0
2
4
频率(GHz )
6
8
0
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
+25C
+85C
-55C
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-55C
0
2
4
频率(GHz )
6
8
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-55C
噪声系数与温度
12
噪声系数(dB )
9
+25C
+85C
-55C
6
3
0
0
2
4
频率(GHz )
6
8
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
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