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HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
PSAT与温度的关系
32
30
28
26
24
22
20
+25C
+85C
-55C
P1dB为与温度的关系
32
30
P1dB的( DBM)
26
24
22
20
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-55C
放大器 - 线性&力量 - 芯片
PSAT ( DBM)
3
28
0
2
4
频率(GHz )
6
8
输出IP3与温度的关系
60
55
50
IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
25
20
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-55C
增益,功率&输出IP3主场迎战
电源电压@ 3 GHz的固定VGG
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
25
20
15
10
11.5
收益
P1dB
PSAT
IP3
12
Vdd的(V)的
12.5
输出IP3与输出音频功率
60
55
50
IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
25
20
0
2
4
频率(GHz )
6
8
0 dBm的
10 dBm的
20 dBm的
3-3
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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