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HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的(V)的
11.5
12.0
12.5
IDD (MA )
375
400
430
绝对最大额定值
漏极偏置电压(VDD )
栅极偏置电压( VGG1 )
栅极偏置电压( Vgg2 )
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = + 12V伏)
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免106 MW / ° C以上85°C )
热阻
(信道死底部)
储存温度
工作温度
14伏直流
-3至0伏
+4到+ 7V
+25 dBm的
150 °C
6.9 w
9.4 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
3-4
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
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