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LTC4001EUF-1-PBF  LTC3851EUD-1-TRPBF  LTC3873EDDB-TRPBF  LTC3890EGN-1TRPBF  LTC3854IMSE  LTC3873-5  LTC4006EGN-6  LTC3835IDHC-1-TRPBF  LTC3873EDDB-TR  LTC3873ETS8-5-PBF  
HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
外形绘图
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
芯片封装信息
标准
GP - 1 (胶装)
[1]
注意事项:
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2. DIE厚度为0.004 ( 0.100 )
3.典型的焊盘为0.004 ( 0.100 ) SQUARE
4.焊垫金属化:金
5.背面金属:金
6.背面金属研磨
7.无连接所需的用于无标签的焊垫
8.总体裸片尺寸± 0.002
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
3-5
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
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