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PDU17F-4  PDU18F-2M  PDU18F-3M  PDU2600-0.5M  PDU18F-6C5  PDU-18F-9  PDU18F0.5  AD580UH  PDU18F-4C5  PDU17F-8M  
HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
此片是直流耦合和匹配
50欧姆。隔直电容是必需的。
接口示意图
1
in
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
3-6
2
Vgg2
门控2的放大器。附加旁路
每个应用电路本文电容。名义
操作+ 6V ,应适用于Vgg2 。
3
ACG1
低频终止。附加旁路
每个电容器的应用电路于此。
4
ACG2
低频终止。附加旁路
每个电容器的应用电路于此。
5
OUT &的Vdd
RF输出放大器。连接直流偏压( Vdd的)网络
提供漏极电流( IDD) 。见应用电路于此。
低频终止。附加旁路
每个电容器的应用电路于此。
门控1放大器。附加旁路
每个应用电路本文电容。请
遵循“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
6, 7
ACG3 , ACG4
8
Vgg1
模具底部
GND
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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