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CMDD4448_10  CMDSH05-4_10  CMDD2004_10  CMDSH-3_10  CMDSH-3  CMDZ10L  CMDZ11L  CMDSH2-4L  SGC-4363Z  CMDD6263_10  
HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
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描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
应用电路
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
注1 :漏极偏压( V DD) ,必须通过一个宽带偏置T形施加
低串联电阻,并能提供500mA的电流
装配图
3-7
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
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