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HMC641
v01.0108
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关, DC - 18 GHz的
典型应用
该HMC641是理想的:
•电信基础设施
•微波无线电& VSAT
•军事&空间杂种
特点
宽带绩效: DC - 18 GHz的
高隔离度42 dB的12 GHz的
低插入损耗: 2.1分贝@ 12 GHz的
集成的2 : 4 TTL解码器
小尺寸: 1.92 X 1.60 X 0.10毫米
4
开关 - CHIP
•测试仪表
工作原理图
概述
该HMC641是一个宽带非反射的GaAs
PHEMT SP4T开关芯片。覆盖DC到18GHz ,
该交换机能够提供高隔离度,低插入
损失,并延伸赫的频率范围
SP4T开关产品线。该开关还包括
一个板的二进制译码电路就可以减少
所需的逻辑控制线的两个数。该
开关操作用的负控制电压
0 / -5V ,并且需要-5V的固定Vss的偏压。所有数据
与在50欧姆测试夹具芯片测试CON-
通过最少的1 3.0 ×0.5密耳金丝带连接的
长度在每个RF端口。
电气电源规格,
T
A
= + 25°C ,0 / -5V控制, VSS = -5V , 50欧姆系统
参数
插入损耗
隔离( RFC到RF1 - RF4 )
回波损耗
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
(双音输入功率= 14 dBm的每个音)
开关特性
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 〜10 /90% RF)的
“在状态”
“关闭状态”
频率
DC - 12 GHz的
DC - 18 GHz的
DC - 12 GHz的
DC - 18 GHz的
DC - 12 GHz的
DC - 18 GHz的
DC - 18 GHz的
2.05- 18 GHz的
0.05 - 18 GHz的
39
37
12
11
12
21
37
分钟。
典型值。
1.8
2.8
42
40
15
14
15
24
40
14
95
马克斯。
2.1
3.1
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
ns
ns
DC - 18GHz的
4 - 38
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC641
v01.0108
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关, DC - 18 GHz的
插入损耗与温度的关系
0
隔离
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
-60
-70
RF1
RF2
RF3
RF4
插入损耗(dB )
-1
-2
-3
+25 C
+85 C
- 55 C
4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz )
-4
-5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz )
回波损耗
0
RFC
RF1,2,3,4在
RF1,2,3,4关闭
1分贝输入压缩点
28
输入压缩点( DBM)
-5
回波损耗(分贝)
26
-10
24
-15
22
-20
20
-25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz )
18
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
输入三阶截
点@ +14 dBm的功率音
50
45
40
IP3 ( dBm的)
35
30
25
20
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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开关 - CHIP
HMC641
v01.0108
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关, DC - 18 GHz的
IP3与输入音频功率@ 500 MHz的
44
IP3与输入音频功率@ 12 GHz的
44
42
42
IP3 ( dBm的)
4
开关 - CHIP
38
IP3 ( dBm的)
0
2
4
6
8
10
12
14
40
40
38
36
36
34
功率(dBm)
34
0
2
4
6
8
10
12
14
功率(dBm)
绝对最大额定值
偏置电压范围( VSS)
控制电压范围(A & B)
通道温度
热阻
道死底部(插入损耗路径)
热阻
道死底部(终止路径)
储存温度
工作温度
最大输入功率
-7伏
VSS -0.5V至+1伏
150 °C
188 ° C / W
222 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
+24 dBm的
真值表
控制输入
A
B
信号路径状态
RFC到:
RF1
RF2
RF3
RF4
偏置电压电流&
VSS范围= -5.0 VDC±10 %
VSS
( VDC)的
-5
ISS (典型值)
(MA )
3
ISS (最大)
(MA )
6
静电敏感器件
观察处理注意事项
TTL / CMOS控制电压
状态
偏置条件
-3V为0伏@ 60 uA的典型。
-5〜 -4.2 VDC @ 5 uA的典型。
4 - 40
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砷化镓MMIC SP4T不反光
开关, DC - 18 GHz的
外形绘图
4
开关 - CHIP
芯片封装信息
[1]
标准
WP- 18 (华夫包)
备用
[2]
注意事项:
1.英寸尺寸[毫米]为单位。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊盘为0.004 “广场。
4.典型的焊盘间距为0.006 “中心到中心。
5.焊盘金属化:黄金。
6.背面金属:金。
7.背面金属接地。
8.无连接所需的用于无标签的焊垫。
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
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HMC641
v01.0108
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关, DC - 18 GHz的
PAD说明
盘数
功能
RFC , RF1 , RF2 ,
RF3 , RF4
描述
这些焊盘被直流耦合和匹配,以
50欧姆。隔直电容是必需的,如果
射频线电位不等于0V。
接口示意图
1, 2, 3, 7, 8
4
开关 - CHIP
4
CTLA
见真值表和控制电压表。
5
CTLB
见真值表和控制电压表。
6
VSS
电源电压-5.0 VDC±10 % 。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
TTL接口电路
注意:
控制输入A和B可以直接驱动TTL逻辑与-5伏
施加到HCT逻辑门V形销和到RF开关的Vss的垫。
4 - 42
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