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HMC642
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12.5 GHz的
典型应用
该HMC642是理想的:
• EW接收机
特点
低RMS相位误差: 2.5 °
低插入损耗: 6.5分贝
高线性度: +41 dBm的
正控制电压
360 °覆盖, LSB = 5.625 °
模具尺寸: 3.25 ×1.9 X 0.1毫米
3
移相器 - 数字 - CHIP
•天气&军用雷达
•卫星通信
•波束形成模块
•阶段取消
工作原理图
概述
该HMC642是一个6位的数字移相器
模具被评为9〜 12.5 GHz的,提供360
度相覆盖,以5.625一个LSB的
度。该HMC642具有非常低的RMS相位
2.5度的误差,极低的插入损耗
的± 0.25分贝在所有相位状态的变化。这
高精确度的移相器进行控制以正
0 / + 5V的控制逻辑,并且由内部匹配50
欧无需外部元件。
电气电源规格,
T
A
= +25° C,
VEE = -5V , VDD = 5V + ,控制电压为0 / + 5V , 50欧姆系统
参数
频带
插入损耗*
输入回波损耗*
输出回波损耗*
相位误差*
RMS相位误差
插入损耗变化*
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
控制电压电流
偏置电流控制
*注:主要国家表示
分钟。
9
6.5
13
12
±5
2.5
±0.25
28
41
<250
<12
+15 / -8
典型值。
马克斯。
12.5
8.5
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
μA
mA
3 - 14
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC642
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12.5 GHz的
插入损耗,大国只有
0
-2
插入损耗(dB )
-4
-6
-8
-10
-12
8
9
10
11
12
13
14
频率(GHz )
标准化的损失,主要国家只有
4
3
归一化的损失( dB)的
2
1
0
3
移相器 - 数字 - CHIP
3 - 15
-1
-2
-3
-4
8
9
10
11
12
13
14
频率(GHz )
输入回波损耗,大国只有
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
8
9
10
11
12
13
14
频率(GHz )
相位误差主要国家只有
20
15
相位误差(度)
10
5
0
-5
-10
-15
-20
8
9
10
11
12
13
14
频率(GHz )
输出回波损耗,大国只有
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
8
9
10
11
12
13
14
频率(GHz )
相对相移
主要的国家,包括所有的位
400
相对相移(度)
350
300
250
200
150
100
50
0
8
9
10
11
12
13
14
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC642
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12.5 GHz的
相对相移,
有效值,平均值,最大值,所有国家
30
相对相移(度)
25
20
15
10
5
0
-5
-10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
频率(GHz )
RMS
最大
平均
输入IP3 ,大国只有
55
50
45
IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
频率(GHz )
3
移相器 - 数字 - CHIP
输入IP2 ,大国只有
100
输入P1dB的,主要只有国
40
35
90
P1dB的( DBM)
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
30
25
20
15
60
频率(GHz )
10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
频率(GHz )
IP2 ( dBm的)
80
70
RMS相位误差与温度的关系
20
相对相移(度)
15
10
5
0
-5
-10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
频率(GHz )
+25C
+85C
-55C
插入损耗与温度的关系,
大国只有
0
插入损耗(dB )
-2
-4
-6
-8
-10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
频率(GHz )
3 - 16
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HMC642
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12.5 GHz的
绝对最大额定值
输入功率( RFIN )
30 dBm的(T = 85 ° C)
-0.2〜 + 12V
+0.2至-12V
150 °C
60 ° C / W
偏置电压范围( VDD)
偏置电压范围( VSS)
通道温度( Tc)的
相位误差对国
15
9.5 , 10 , 10.5 , 11 , 11.5 , 12 , 12.5千兆赫
相位误差(度)
10
5
热阻
(信道死底部)
0
3
移相器 - 数字 - CHIP
3 - 17
储存温度
工作温度
9 GHz的
-65至+150°C
-55至+85°C
-5
-10
0
45
90
135
180
225
270
315
360
状态(度)
静电敏感器件
观察处理注意事项
真值表
控制电压输入
第1位
0
1
0
0
0
0
0
1
第2位
0
0
1
0
0
0
0
1
第3位
0
0
0
1
0
0
0
1
4位
0
0
0
0
1
0
0
1
第5位
0
0
0
0
0
1
0
1
第6位
0
0
0
0
0
0
1
1
相移
(度)
RFIN - RFOUT
参考*
5.625
11.25
22.5
45.0
90.0
180.0
354.375
偏置电压电流&
VDD
5.0
VSS
-5.0
国际直拨电话
5.6mA
国际空间站
5.6mA
控制电压
状态
低(0)
高(1)
偏置条件
0到0.2伏
VDD ± 0.2伏@ 35 μA典型值。
在上述状态中的任何组合将提供一个相移
近似等于所选择的比特的总和。
*参考对应于单调的设置
PAD说明
盘数
功能
描述
这些垫和模具底部
必须连接到射频/ DC接地。
接口示意图
1, 3, 12, 14
GND
2
RFIN
此端口直流耦合,匹配50欧姆。
4
VDD
BIT1 , BIT2 , BIT3 ,
BIT4 , BIT5 。 BIT6
VSS
RFOUT
电源电压。
5 - 7,
9 - 11
控制输入。见真值表
电压和控制电压表。
8
电源电压。
13
此端口直流耦合,匹配50欧姆。
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HMC642
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12.5 GHz的
外形绘图
3
移相器 - 数字 - CHIP
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 1 (胶装)
备用
[2]
注意事项:
1.英寸所有尺寸(毫米)
2. DIE厚度为0.004
3.背面金属:金
4.背面金属研磨
5.焊垫金属化:金
6.外型尺寸DIE ± 0.002
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
3 - 18
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