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HMC643
v01.0707
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12 GHz的
典型应用
该HMC643是理想的:
• EW接收机
特点
低RMS相位误差: 3.5 °
低插入损耗: 6.5分贝
高线性度: +38 dBm的
360 °覆盖, LSB = 5.625 °
模具尺寸: 2.75 X 0.99 X 0.1毫米
3
移相器 - 数字 - CHIP
•天气&军用雷达
•卫星通信
•波束形成模块
•阶段取消
工作原理图
概述
该HMC643是一个6位的数字移相器
模具被评为由9到12 GHz ,提供360
度相覆盖,以5.625一个LSB的
度。该HMC643具有非常低的RMS相位
3.5度的误差,极低的插入
为± 0.6分贝所有相态损耗变化。
这种高精确度的移相器进行控制
0 / -3V互补的逻辑,不需要固定的
偏置电压和内部匹配到50欧姆
无需外部元件。简单的外部电平
转换电路可用于将一个正
CMOS控制电压转换成互补的负
控制信号。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, 50欧姆系统,控制电压= 0 / -3V
参数
频带
插入损耗*
输入回波损耗*
输出回波损耗*
相位误差*
RMS相位误差
插入损耗变化*
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
控制电压电流
*注:主要国家表示
分钟。
9
6.5
15
12
±7
3.5
±0.6
22
38
<1
-10 / +15
典型值。
马克斯。
12
10.0
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
μA
3 - 20
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC643
v01.0707
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12 GHz的
插入损耗,大国只有
0
-2
插入损耗(dB )
-4
-6
-8
-10
-12
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
标准化的损失,主要国家只有
4
3
归一化的损失( dB)的
2
1
0
3
移相器 - 数字 - CHIP
3 - 21
-1
-2
-3
-4
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
输入回波损耗,大国只有
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
相位误差主要国家只有
20
15
相位误差(度)
10
5
0
-5
-10
-15
-20
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
输出回波损耗,大国只有
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
相对相移
主要的国家,包括所有的位
400
相对相移(度)
350
300
250
200
150
100
50
0
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
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HMC643
v01.0707
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12 GHz的
相对相移,
有效值,平均值,最大值,所有国家
30
相对相移(度)
25
20
15
10
5
0
-5
-10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
频率(GHz )
RMS
平均
最大
输入IP3 ,大国只有
55
50
45
IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
频率(GHz )
3
移相器 - 数字 - CHIP
输入IP2 ,大国只有
100
输入P1dB的,主要只有国
40
35
30
25
20
15
10
90
P1dB的( DBM)
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
IP2 ( dBm的)
80
70
60
50
频率(GHz )
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
频率(GHz )
RMS相位误差与温度的关系
20
相对相移(度)
15
10
5
0
-5
-10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
频率(GHz )
+25C
+85C
-55C
插入损耗与温度的关系,
大国只有
0
插入损耗(dB )
-2
-4
-6
-8
-10
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
频率(GHz )
3 - 22
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HMC643
v01.0707
砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12 GHz的
绝对最大额定值
输入功率( RFIN )
27 dBm的(T = 85 ° C)
150 °C
130 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
通道温度( Tc)的
热阻
(信道死底部)
储存温度
相位误差对国
20
15
相位误差(度)
10
5
0
-5
-10
9 GHz的
9.5 , 10 , 10.5 , 11 , 11.5 , 12 GHz的
3
移相器 - 数字 - CHIP
3 - 23
工作温度
控制电压
状态
低(0)
0
45
90
135
180
225
270
315
360
-15
-20
状态(度)
偏置条件
-2.5〜 -3.5V @ 0.4 μA典型值。
0至+ 0.3V @ 0.4 μA典型值。
高(1)
真值表
控制电压输入
第1位
0
1
0
0
0
0
0
1
第2位
0
0
1
0
0
0
0
1
第3位
0
0
0
1
0
0
0
1
第3位
1
1
1
0
1
1
1
0
4位
0
0
0
0
1
0
0
1
4位
1
1
1
1
0
1
1
0
第5位
0
0
0
0
0
1
0
1
第5位
1
1
1
1
1
0
1
0
第6位
0
0
0
0
0
0
1
1
静电敏感器件
观察处理注意事项
相移
(度)
RFIN - RFOUT
参考*
5.625
11.25
22.5
45.0
90.0
180.0
354.375
第6位
1
1
1
1
1
1
0
0
在上述状态中的任何组合将提供一个相移近似等于所选择的比特的总和。
*参考对应于单调的设置
PAD说明
盘数
功能
描述
这些垫和模具底部
必须连接到射频/ DC接地。
接口示意图
1, 3, 4, 6
GND
2
RFIN
此端口直流耦合,匹配50欧姆。
5
RFOUT
此端口直流耦合,匹配50欧姆。
7, 9,
11, 15
8, 10, 12,
13, 14, 16
BIT6 , BIT4
BIT3 , BIT5
BIT6 , BIT4 , BIT3 ,
BIT2 , BIT1 , BIT5
倒立控制输入。见真值表
电压和控制电压表。
非反相控制输入。见真值表
电压和控制电压表。
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砷化镓MMIC 6位数字
移相器9 - 12 GHz的
外形绘图
3
移相器 - 数字 - CHIP
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 (胶装)
备用
[2]
注意事项:
1.英寸所有尺寸(毫米)
2. DIE厚度为0.004
3.背面金属:金
4.背面金属研磨
5.焊垫金属化:金
6.外型尺寸DIE ± 0.002
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
应用电路
注意:
此电路将单线路正极( 0 / + 5V)的控制信号,以互补负(0 / -3V )的控制信号。
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