HM233BD [HMSEMI]
TWS Bluetooth headset dedicated touch IC;
| 型号： | HM233BD |
| 厂家： | 
H&M Semiconductor |
| 描述： | TWS Bluetooth headset dedicated touch IC |
| 文件： | 总12页 (文件大小：1218K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
HM233B
规格书
目录
1. 产品概述 ....................................................................................................................................2
2. 主要特性 ....................................................................................................................................2
3. 系统框图 ....................................................................................................................................2
4. 封装及引脚说明 ..........................................................................................................................3
5. 功能描述 ....................................................................................................................................4
5.1 输出有效选项脚位................................................................................................................ 4
5.2 触摸功能使能脚 ................................................................................................................... 4
5.3 按键最长输出时间................................................................................................................ 4
5.4 低功耗模式 .......................................................................................................................... 4
5.5 灵敏度调整 .......................................................................................................................... 4
6. 应用电路 ....................................................................................................................................5
7. 电气特性 ....................................................................................................................................7
7.1 电气特性极限参数................................................................................................................ 7
7.2 直流特性.............................................................................................................................. 7
8. 封装信息 ....................................................................................................................................8
8.1 DFN2x2-6L封装尺寸 ............................................................................................................ 8
8.2 DFN2x2-6L编带信息 ............................................................................................................ 9
8.3 TSOT23-6封装 .................................................................................................................. 10
8.4 TSOT23-6L编带信息.......................................................................................................... 11
9. 历史记录 ..................................................................................................................................12
1 / 12
HM233B
规格书
TWS 蓝牙耳机专用触摸 IC 文件编号：PT-DS19001
1. 产品概述
HM233B
是一款
单通道触摸控制芯片，内建稳压电路和高效算法，具有稳定的触摸检测效果。该芯
片主要应用于 TWS 蓝牙耳机，具有如下显著优势：
高穿透力：5mm 浮空触摸盘外接 7pF 灵敏度电容穿透 14mm 亚克力介质
超低功耗：充电仓内待机电流典型值 1.7uA@VDD=4V & VRST=1.2V
节省外围：单芯片支持自动出仓开机
2. 主要特性
工作电压范围：2.4~5.5V
工作温度范围：-40~85℃
抗干扰性能优良：内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
待机工作电流：典型值 4.7uA@VDD=4V/无负载
按键最长响应时间：低功耗模式下约 220ms@VDD=4V
可接外部电容（1~50pF）调整触摸灵敏度
触摸功能开关（RST）：配置为高电平关闭触摸，为低电平开启触摸；从高电平切换到低电平
时，QC 输出 3~3.5 秒宽的有效脉冲再开启触摸功能。
QC 输出有效电平选择（AHLB）： 高电平或低电平输出有效
按键最长输出时间：无穷大
上电约 0.4 秒的初始化时间，此期间内不要触摸检测点，且此时所有功能被禁止
HBM ESD：大于 5KV
封装形式：TSOT23-6、DFN2x2-6L
3. 系统框图
传感器
震荡电路
传感器 &
参考检测电路
TCH
QC
时序计算器 &
功能选项控制电路
输出&
RST
触摸检测电路
驱动电路
系统振荡电路
稳压电路
AHLB
按键有效 &
时序控制
图 1 系统框图
2 / 12
HM233B
规格书
4. 封装及引脚说明
6
5
4
1
2
3
QC
GND
TCH
RST
VDD
AHLB
HM233BT
图 2 HM233BT TSOT23-6 封装管脚示意图
1
2
3
6
5
4
TCH
GND
QC
AHLB
VDD
RST
HM233BD
图 3 HM233BD DFN2x2-6L 封装管脚示意图
表 1 引脚说明表
产品型号
管脚名
I/O类型
称
描述
HM233BT
HM233BD
输出脚，CMOS输出
地
1
2
3
3
2
1
QC
O
P
I
GND
TCH
触摸感应输入
输出高电平有效或低电平有效选择
4
5
6
5
AHLB
VDD
I-PL
P
0（默认值）：高电平有效；1：低电平有效
电源
触摸复位
0：触摸复位，并开启触摸功能；
1：关闭触摸功能
6
4
RST
I2
引脚类型：
I：
CMOS 输入
CMOS 输出
O：
I/O：
P：
CMOS 输入/输出
电源/接地
I-PL： CMOS 输入内置下拉电阻
I2： CMOS 输入，VIL 阈值与其它 IO 脚不同
3 / 12
HM233B
规格书
5. 功能描述
5.1 输出有效选项脚位
AHLB 选项脚位为锁存类型：上电默认状态为 0，若上电前管脚被接至 VDD，则上电后状态变为 1，
且不会有电流漏电。
AHLB 脚位：选择 CMOS 输出高电平有效或低电平有效。
QC 脚（CMOS 输出）选项特性：
端口 QC 选项特性
同步模式、CMOS 高电平有效
同步模式、CMOS 低电平有效
AHLB
0
1
5.2 触摸功能使能脚
RST 脚为无内部上下拉电阻的输入脚。其脚位可接不高于 5.5V 电压的电平信号。
RST 脚特殊设计，其 VIH 为 0.75VDD、VIL 为 0.14VDD。
RST 脚电压从 5.5V~0.14VDD 端口漏流都小于 1uA。
RST 脚配置为高电平时关闭触摸功能；为低电平时触摸复位，并开启触摸功能；从高电平切换到低
电平时，QC 输出 3~3.5 秒宽的有效脉冲再开启触摸功能
5.3 按键最长输出时间
按键最长输出时间为无穷大。
5.4 低功耗模式
HM233B 在低功耗模式下运行，可节省功耗，在此模式下侦测到按键触摸后会切换至快速模式，直
到按键触摸释放，并保持约 10 秒快速模式，然后返回低功耗模式。
Low Power
Fast mode
Low Power
Fast mode
Low Power
mode timing
timing
mode timing
timing
mode timing
VDD
TCH
VSS
-125ms
-125ms
-125ms
-20ms
-20ms
ABOUT 10 SEC
POSSIBLE KEY TOUCH KEY RELEASE
(NOT REALLY TOUCH)
KEY TOUCH
KEY RELEASE
QCVDD
VSS
5.5 灵敏度调整
IC 触摸管脚上的等效电容大小会影响灵敏度，灵敏度调整必须符合 PCB 的实际应用，下面是一些调
整灵敏度的方法：
1) 调整触摸盘大小：
在其它条件不变的情况下，使用较大的触摸盘尺寸可增加灵敏度，反之则会降低灵敏度；但触摸
盘尺寸必须在有效范围内。
2) 调整介质面板厚度：
在其它条件不变的情况下，使用较薄的介质可增加灵敏度，反之则会降低灵敏度。
4 / 12
HM233B
规格书
3) 调整 Cs 电容值
在其它条件不变的情况下，触摸盘上未接对地 Cs 电容时，灵敏度最高，反之 Cs 电容越大灵敏
度变低，Cs 电容可用范围：（1≦Cs≦50pF）。
6. 应用电路
HM233B
图 4 TWS 蓝牙模组电路示意图 1
5 / 12
HM233B
规格书
HM233B
图 5 TWS 蓝牙模组电路示意图 2
注：
1) 在 PCB 上从触摸盘到 TCH 脚的走线越短越好，且触摸走线与其它走线不得平行或交叉。
2) 电源供电必须稳定，若电源电压发生快速漂移或跳变，可能造成灵敏度
3) 覆盖在 PCB 上的介质，不得含有金属或导电组件成份﹐表面涂料亦同样要求。
4) 必须在 VDD 和 GND 间使用 C1 电容（104 或更大容量）；且应采取与 IC 的 VDD 和 GND 管脚最
短距离布线。
5) 可利用 Cs 电容调整灵敏度，Cs 电容值越小灵敏度越高，灵敏度调整必须根据实际应用的 PCB
来做调整，Cs 电容值的范围为 1~50pF。
6) 调整灵敏度的电容（Cs）必须选用较小的温度系数及较稳定的电容器，如 X7R、NPO。针对触摸
应用，建议选择 NPO 电容器，以降低因温度变化而影响灵敏度。
6 / 12
HM233B
规格书
7. 电气特性
7.1 电气特性极限参数
表 2 极限参数
参数
标号
VDD
VI
条件
范围
单位
供电电压
输入电压
工作温度
储藏温度
-
-0 to +5.5
V
所有 I/O口
-0.3 to VDD+0.3
-40~ +85
-50~ +125
5
V
℃
℃
KV
TA
-
-
TSTG
ESD
芯片抗静电强度HBM
7.2 直流特性
表 3 如无特殊说明 VDD=2.0V~5.5V，Temp=25ºC
参数
标号
VDD
VREG
VIH
条件
最小值
典型值
3
最大值
5.5
单位
工作电压
2.4
2.2
0.75
0
V
内部稳压电路输出
输入高电压（AHLB）
输入低电压（AHLB）
输入高电压（RST）
输入低电压（RST）
输出 Source 电流
输出 Sink 电流
2.3
2.4
V
1.0
VDD
VDD
VDD
VDD
mA
mA
ohm
VIL
0.25
1.0
VIH
0.75
0
VIL
0.14
IOH
VDD=3V, VOH=2.4V
-4
IOL
VDD=3V, VOL=0.6V
8.5
30K
下拉电阻
RPL
VDD=4V（AHLB）
VDD=4V、快速模式
60
输出响应时间
工作电流
TR
ms
VDD=4V、低功耗模式
VDD=4V，低功耗模式（无负载）
VDD=4V，快速模式（无负载）
220
4.7
40
ISB
uA
VDD=4V，RST 脚 1.2V，触摸功能
2
关闭。
7 / 12
HM233B
规格书
8. 封装信息
8.1 DFN2x2-6L封装尺寸
图 6 DFN2x2-6L 封装图
表 4 DFN2x2-6L 封装尺寸
Unit:
Typ
mm
Max
0.85
Symbol
Min
0.70
0.00
0.30
0.18
1.95
1.25
1.95
Typ
0.75
0.02
0.35
0.20
2.00
1.30
2.00
Max
0.80
0.05
0.40
0.25
2.05
1.35
2.05
Symbol
Min
A
A1
b
E2
e
0.75
0.80
0.650BSC
1.300BSC
-
Nd
K
c
0.20
0.28
0.15
-
D
L
0.33
0.38
0.25
D2
E
h
0.20
8 / 12
HM233B
规格书
8.2 DFN2x2-6L编带信息
PIN1
D0
P1
P0
P2
T
θ
K0
进料方向
D1
PIN1
A0
θ
233B
DFN2*2-6L 印章示意
图 7 DFN2x2-6L 编带示意
表 5 DFN2x2-6L 编带尺寸
Unit:
mm
Symbol
Min
7.9
Typ
8.00
2.25
2.25
0.95
1.75
3.50
Max
8.10
2.35
2.35
1.05
1.85
3.60
Symbol
D1
D0
P0
Min
-
Typ
1.00
1.50
4.00
4.00
2.00
0.22
10°
Max
W
A0
B0
K0
E
1.10
1.60
4.10
4.10
2.10
0.24
2.15
2.15
0.85
1.65
3.40
-
3.90
3.90
1.90
0.20
P1
P2
F
T
θ
9 / 12
HM233B
规格书
8.3 TSOT23-6封装
图 8 TSOT23-6 封装图
表 6 TSOT23-6 封装尺寸
Unit:
mm
Max
Symbol
A
Min
Typ
Max
Symbol
Min
Typ
-
2.820
-
3.020
D
θ
0.300
0.600
9°TYP4
A1
A2
B
0.950(BSC)
10°TYP4
0~8°
0.350
1.600
2.650
0.080
0.700
0.000
0.378
-
-
-
-
-
-
-
0.500
1.700
2.950
0.200
0.800
0.100
0.438
θ1
θ2
B1
B2
C
C1
C2
10 / 12
HM233B
规格书
8.4 TSOT23-6L编带信息
PIN1
D0
P1
P0
P2
T
θ
K0
进料方向
D1
A0
θ
233B
PIN1
TSOT23-6L 印章示意
图 9 TSOT23-6L 编带示意
表 7 TSOT23-6L 编带尺寸
Unit:
mm
Symbol
Min
7.9
Typ
8.00
3.26
3.30
1.05
1.75
3.50
Max
8.10
3.36
3.40
1.15
1.85
3.60
Symbol
D1
D0
P0
Min
-
Typ
1.00
1.50
4.00
4.00
2.00
0.23
6°
Max
W
A0
B0
K0
E
1.25
1.60
4.10
4.10
2.05
0.26
3.16
3.20
0.95
1.65
3.40
-
3.90
3.90
1.95
0.20
P1
P2
F
T
θ
11 / 12
HM233B
规格书
9. 历史记录
版本号
修改记录
发布日期
2019-02-14
2019-03-13
2019-03-18
V1.0
初版
V1.1
增加TSOT23-6、DFN2*2－6L编带信息
修改蓝牙模组电路示意图
V1.2
12 / 12
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明