HM6618A2 [HMSEMI]
integrated USB Type-C;
| 型号： | HM6618A2 |
| 厂家： | 
H&M Semiconductor |
| 描述： | integrated USB Type-C |
| 文件： | 总7页 (文件大小：2145K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
HM6618A/B
内置 VBUS Discharge 功能
1 特性
支持线损补偿功能
外围极简，无需额外的电阻电容
安全性
支持 USB Type -C 协议
- 配置为 DFP（Source）
- 广播 3A/1.5A 电流
- 过压/欠压保护
- 过流保护
支持 USB Power Delivery（PD）3.0 协议
- 集成完整 PD3.0 分层通信协议
- PDO 电压：5V，9V（HM6618A）
- 过温保护
CC1/CC2/DP/DM 过压保护
ESD 特性±4KV
- PDO 电压：5V，9V，12V（HM6618B）
- 输出功率 18W
Package: ESOP8
支持 Quick Charge 3.0/2.0 协议
支持华为 FCP/SCP 协议
支持三星 AFC 协议
2 应用
AC-DC 适配器
USB 充电设备
支持 USB BC1.2 DCP
支持 Apple 2.4A 充电规范
集成 VBUS 通路低阻抗功率开关管
3 应用简图
HM6618A/B
100k
VPWR
VBUS
Power
Supply
CVBUS
RVIN
Feedback
VIN
CVPWR
USB
TYPE-C
CC2
CC1
FBO
DP
DM
GND
HM6618A/B
4 概述
HM6618A/B 是一款集成
快充协议、华为
电规范的多功能
完整的 USB Type-C 端口充电解决方案。
HM6618A/B 内置的 TYPE-C 协议可以支持
头的正插与反插，实现连接。集成的 TYPE-C PD3.0 协议支持双向标记编码（BMC），集
成硬件的物理层协议和协议引擎，无需软件参与编解码。
HM6618A/B 支持 18W 输出功率。其中，HM6618A 广播
PDO 电压为 5V/9V/12V。HM6618A/B 是专为手机充电设备量身定制的高性价比方案。
HM6618A/B 通过一路可 Sink/Source 的电流源，连接到 AC-DC 或 DC-DC 的反馈引脚实
ꢀ
USB Type-C、USB Power Delivery（PD）3.0、QC3.0/2.0 CLASS A
ꢀ
FCP/SCP 快充协议、三星
ꢀ AFC 快充协议、BC1.2 DCP 以及苹果设备ꢀ 2.4A充
ꢀ
USB 端口控制器, 为 AC-DC 适配器、移动电源、车载充电器等设备提供
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ TYPE-C 设备插入自动唤醒系统，智能识别插
ꢀ
ꢀ
ꢀ PDO 电压为ꢀ 5V/9V，HM6618B
广播
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
现动态调节电压的功能，不管是启动还是调压过程，都具备软启动/调压功能，实现电
压平顺过渡。
HM6618A/B 内建多种保护机制确保设备安全：包括动态过压/欠压/过流保护（可根据
设备请求的工作电压/电流按照比例调整保护点）；启动监测（VBUS 输出前会监测端口
电压是否处于安全状态）；DP/DM 和
HM6618A/B 集成30mΩ VBUS 通路功率开关管和内部放电通路，节省了外围器件，在
发生错误时也可以更快关闭输出并恢复到安全状态。
HM6618A/B 采用常见的 ESOP8 封装形式，提供最优化的
ꢀ CC1/CC2 过压保护。
ꢀ
ꢀ
ꢀ BOM 成本特性。
HM6618A/B
5 引脚定义
VBUS
VPWR
VIN
1
2
8
7
6
CC2
CC1
FBO
DP
3
4
5
DM
引脚序号
名称
VPWR
VIN
FBO
DP
DM
CC1
CC2
VBUS
GND
描述
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VBUS 输入电源
芯片输入电源
电压调节端口（接到系统电压反馈点）
USB DP
USB DM
Type-C 检测引脚 CC1
Type-C 检测引脚 CC2
VBUS 输出电源
芯片地和散热片
6 订购信息
料号
印字
特性
封装
HM6618A
PDO:5V/3A, 9V/2A
HM6618B
HM6618A2
HM6618B2
PDO:5V/3A, 9V/2A, 12V/1.5A
PDO:5V/2.5A, 9V/2A
HM6618
XXXXX
ESOP8
PDO:5V/2.5A, 9V/2A, 12V/1.5A
HM6618A/B
7 规格参数
7.1 极限工作参数(1)
参数
最小值
最大值
单位
V
VBUS,VPWR,VIN,
CC
其他
-0.3
15
耐压（对 GND）
-0.3
-40
-65
6
V
150
150
结温
存储温度
(1) 超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏。长期工作在极限额定值下可能会影响器件
的可靠性。
7.2 ESD 性能
符号
参数
值
单位
VESD
HBM
V
±4000
ESD 测试基于人体放电模型（HBM）。
7.3 推荐工作条件
参数
最小值
3.6
典型值
最大值
12
单位
VPWR
CVBUS
CVPWR
RVIN
V
µF
µF
Ω
输入电压
2.2
10
VBUS 电容
4.7
10
2.2
100
VPWR 电容
VIN 限流电阻
系统电压分压电阻
工作环境温度
RFBUP
TA
kΩ
-40
85
7.4 热阻值
符号
RθJA
参数
值
100
36
单位
结温和周围温度之间的热阻(1)
结温和封装外壳表面温度之间的热阻
结温和板温度之间的热阻
RθJCtop
RθJB
/W
45
7.5 电气特性
如无特殊说明，下述参数均在该条件下取得：TJ= 25℃，5V≤VPWR≤12V
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
芯片供电相关（VPWR，VBUS）
VVPWR_TH
Rising edge
3.5
V
VPWR UVLO 门限
HM6618A/B
Falling edge
Hysteresis
3.2
0.3
Rising edge
4.45
VVBUS_TH
ISUPP
Falling edge
Hysteresis
VPWR=5V，VBUS=5V
Voltage Protection (VBUS)
3.9
0.55
2.5
V
VBUS UVLO 门限
mA
典型工作电流
Fast OVP 门限，
always enabled
Slow OVP 门限
VFOVP
Ref to target voltage
+20%
V
VSOVP
VSUVP
Ref to target voltage
Ref to target voltage
Switch MOSFET
+15%
-22%
V
V
VBUS UVP 门限
RDSON
30
mΩ
Transmitter (CC1, CC2)
During transmission
RTX
Output resistance
Transmit HIGH
Transmit LOW
Bit unit interval
Rise/fall time of
BMC
50
1.15
Ω
V
mV
us
VTXHI
VTXLO
tUI
-75
75
3.3
tBMC
Rload=5.1k,Cload=1nF
Receiver (CC1, CC2)
300
600
ns
VRXHI
VRXLO
Receive HIGH
Receive LOW
800
485
840
525
885
570
mV
3A DFP mode, 0
CC1/CC2
Broadcasting
current
304
166
330
180
356
194
6
uA
uA
V
IRP_SRC
1.5A DFP mode, 0
CC1/CC2 过压保护
阈值
VOVP_CC
OCP (ISEN, VBUS)
Shunt voltage
when OCP tripped
VITRIP
Ref to Power Capability(pd)
+30%
A
OTP (internal)
Temperature rising edge
Hysteresis
125
135
20
145
℃
℃
TJ1
Die temperature
HVDCP interface (DP, DM)
VDAT(REF)
VSEL(REF)
0.25
1.8
0.325
2
0.4
2.2
V
V
数据线检测电压
输出电压选择
D+高电平扰动滤
波时间
TGLITCH(DP)HIGH
TGLITCH(DM)LOW
TGLITCH(V)CHANGE
1
1.25
1
1.5
s
D-低电平扰动滤
波时间
ms
ms
输出电压扰动滤
波时间
20
40
60
HM6618A/B
连续模式的扰动
滤波时间
TGLITCH(CONT)CHANGE
100
300
150
500
200
us
RDAT(LKG)
RDM(DWN)
800
24.5
KΩ
KΩ
D+漏泄电阻
D-下拉电阻
开关 N1 导通电
阻
14.25 19.53
RON(N1)
VTH(PD)
TDPD
40
100
0.4
Ω
V
受电设备连接检
测电压阈值
受电设备连接检
测滤波时间
电压升高时电流
源阶跃步长
电压降低时电流
源阶跃步长
DP/DM 过压保护
阈值
0.25
120
0.325
160
2
200
ms
uA
uA
V
ΔIT(UP)
RIREF=100KΩ
RIREF=100KΩ
ΔIT(DO)
VOVP_DPDM
2
6
Apple 2.4A 充电模式
VDAT(2.7V)
RDAT(2.7V)
2.57
2.7
15
2.84
V
D+/D-数据线电压
D+/D-数据线输出
阻抗
KΩ
FCP 充电模式
D- FCP TX Valid
High
D- FCP TX Valid
Low
D- FCP RX Valid
High
D- FCP RX Valid
High
VTX-VOH
VTX-VOL
VRX-VIH
VRX-VIL
2.7
V
V
V
V
0.3
1.2
0.9
FCP Pulse Rise
Time
FCP Pulse Fall Time 90% - 10%
Trise
Tfall
10% - 90%
2.5
2.5
us
us
8 PCB Layout 注意事项
1、输入电容 CVPWR 以及输出电容 CVBUS 尽量靠近芯片；
2、PCB布局时尽量避免与主发热器件摆放在一起；
3、尽量避免 FBO 连线受到干扰；
4、VIN 脚的 RC 尽量靠近芯片管脚。
HM6618A/B
9 封装信息
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明