INA241A1QDDFRQ1
具有增强型 PWM 抑制功能且符合 AEC-Q100 标准的 -4V 至 110V、双向、超精密电流检测放大器 | DDF | 8 | -40 to 125
放大器
TI
BD5218G-2M
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS电压检测器IC系列是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流延迟电路的CMOS RESET IC系列。可通过外接电容器设定延迟时间。为保证客户可根据应用进行选择,备有Nch漏极开路输出(BD52xx-2M)系列和CMOS输出(BD53xx-2M)系列产品。备有检测电压为0.9V~5.0V的0.1V阶跃的产品阵容。在-40°C到105°C的整个工作温度范围内,将延迟时间精度控制在±30%内。
电容器
ROHM
IPB330P10NM
D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU,开关速度快且雪崩能力强,尤其适合质量要求高的应用。器件支持正常电平,具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg,低负载下效率较高。
电池 开关
INFINEON
KYOCERA AVX
AMPHENOL
SAMTEC
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MSYSTEM
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MTRONPTI
TI
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