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HX6408
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HX6408
512K ×8静态RAM
在512K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能524,288字×8位的静态随机存取
存储器具有可选的工业标准功能。这是
制造与霍尼韦尔的抗辐射硅在
绝缘体(SOI)技术,并且被设计为在低使用
电压系统中的辐射环境中工作。该
内存工作在整个军用温度范围内
只需要一个3.3 V± 0.3V电源。动力
消费一般是<30毫瓦@ 1MHz的写模式,
<14毫瓦@ 1MHz的在读模式,且小于5毫瓦
在待机模式时。
霍尼韦尔增强型RICMOS ™ (放射不敏感
CMOS ) SOI V技术是通过抗辐射
采用先进的和专有的设计,布局和流程
强化技术。
该RICMOS ™V低功耗工艺是一种SOI CMOS
技术用80埃的栅氧化层和一个最小
0.35绘制的特征尺寸
µm.
附加功能
包括钨,通过接触插头,霍尼韦尔
专有夏普平坦化工艺和轻
掺杂漏极( LDD)结构,以提高短
通道的可靠性。七晶体管( 7T )存储单元
用于高级单粒子翻转硬化,
而三层金属粉末校车和低
收藏量SOI衬底提供了改进的
剂量率硬化。
特点
制作与RICMOS ™V
绝缘体上硅( SOI)的
0.35毫米过程(L
EFF
= 0.28 µm)
总剂量
3x10
5
和1×10
6
RAD (SIO
2
)
中子
≥1x10
cm
14
-2
无闭锁
读/写周期时间
≤20
NS ( 3.3 V ) , -55至125°C
典型工作功耗( 3.3 V )
<14毫瓦@ 1MHz的阅读
<30毫瓦@ 1MHz的写
<5 mW的待机模式
异步操作
CMOS兼容的I / O
单电源供电,
3.3 V ± 0.3 V
操作范围为
-55 ° C至+ 125°C
36引脚扁平封装包
可选低功耗的睡眠
模式
动态和静态瞬态翻转
≥1x10
10
RAD (SI ) / S( 3.3 V )
剂量率生存能力
≥1x10
12
RAD (SI ) / S
软错误率
≤1x10
-10
搅得/位天( 3.3 V )
1
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工作原理图
36 LEAD扁平封装引脚
HX6408
顶视图
地址
解码器
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
( NSL )
A18
A17
A16
A15
诺埃
D4
D5
VSS
VDD
D6
D7
A14
A13
A12
A11
A10
NAS
An
内存
ARRAY
A1
A2
A3
A4
NWE
定时\\控制
DQ ( 0 : 7 )
WE • CS
NWE • CS
NCS
D0
D1
VDD
VSS
D2
D3
NSL
NCS
诺埃
NWE 13
所有的控制必须启用
对于信号通过。
# =数的缓冲区,
默认值= 1
1 =启用
信号
#
信号
A5 14
A6 15
A7 16
A8 17
A9 18
信号定义
A: 0-18
DQ : 0-7
NCS
地址输入引脚,选择存储阵列中特定8位字。
双向数据引脚,其中在读出操作和数据输入作为数据输出
在写操作。
负芯片选择,当处于低电平允许正常的读或写操作。当在较高的水平
NCS迫使SRAM到一个预充电状态,保持在高阻抗的数据输出驱动器
状态。如果不使用该信号就必须连接到VSS。
否定的写使能,当处于低电平激活的写操作和保存数据输出
司机在高阻抗状态。当在较高的水平西北欧允许正常的读操作。
负输出使能,当在较高的水平保持在一个高阻抗的数据输出驱动器
状态。当处于低电平时,数据输出驱动器的状态由NCS,西北欧和NSL限定。这
信号是异步的。
不睡觉的时候在一个较高的水平可以正常运行。当处于低电平NSL迫使SRAM
到预充电状态,保持在高阻抗状态的数据输出驱动器,并禁用所有
输入缓冲器除了NCS和NOE输入缓冲器。如果不使用这个信号必须将其连接
至VDD 。这个信号是异步的。该HX6408可在不睡眠模式选项排序
和引脚36是那么NC 。
NWE
诺埃
NSL
2
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真值表
NCS
L
L
H
X
NSL
H
H
X
L
NWE
H
L
X
X
诺埃
L
X
X
X
模式
取消
睡觉
DQ
数据输出
DATA IN
高Z
高Z
X: VI = VIH或VIL ,
NOE = H:
保持NCS = X , NWE = X高Z输出状态
辐射
总的电离辐射剂量
该SRAM将满足所有规定的功能和电气
规格在整个工作温度
指定的总电离辐射剂量后的范围。
所有电气和时序性能参数会
保持在规定范围内。总剂量硬度
保证通过过程监控的晶圆级测试
晶体管和使用在10KeV的X射线RAM的产物。
晶体管栅极阈移相关性已
在10KeV的X射线之间形成施加的剂量率
1x10
5
RAD (SIO
2
) / min的在T = 25℃和γ射线
(钴60源),以确保晶片级的X射线
测试与标准的军用辐射试验一致
环境。
瞬态脉冲电离辐射
该SRAM能够写作,阅读,和固定的
中和暴露于瞬态之后存储的数据
电离辐射脉冲,将在指定的瞬态
剂量率心烦规范下,当应用
推荐工作条件。建议
提供外接电源去耦电容
要在瞬态事件保持VDD电压电平。
该SRAM将满足任何功能性或电
暴露于辐射之后,规范脉冲高达
瞬时剂量率生存能力说明书中,当
推荐工作条件下使用。
需要注意的是在脉冲期间由电流进行
RAM的输入,输出和电源可提供
显著超出正常水平。该
应用程序的设计必须适应这些影响。
中子辐射
该SRAM将满足任何功能或时间
暴露于指定的中子后规范
在推荐的操作或储存能量密度
条件。这是假定等效中子能量
1兆电子伏。
软错误率
该SRAM能够满足指定软
错误率( SER ) ,在推荐工作
条件。
此硬度级别由亚当斯90%定义
在最坏情况下的宇宙射线环境
地球同步轨道。
闭锁
对SRAM不会闭锁,由于上述任何
在应用时的辐射泄漏情况
推荐工作条件。与制作
SOI衬底材料提供氧化隔离
相邻的PMOS和NMOS晶体管和间
消除任何潜在的SCR闭锁结构。
足够的晶体管体引出连接到p型和
n沟道衬底制成,以确保没有
源极/漏极折返发生。
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辐射硬度值( 1 )
参数
总剂量
瞬时剂量率翻转
瞬时剂量率生存能力
极限( 2 )
≥3X10
≥1X10
6
10
≥1X10
≥1X10
12
5
单位
RAD (SIO
2
)
RAD (SI ) / S
RAD (SI ) / S
测试条件
T
A
=25°C
脉冲宽度
≤50
ns
VDD>3.6V ,T
A
=25°C
脉冲宽度
≤50
NS , X-
ray,VDD=3.6V,
T
A
=25°C
T
A
= 85°C ,亚当斯90 %
最坏的情况下的环境
相当于1兆电子伏
节能,无偏,
T
A
=25°C
软错误率
中子注量
<1X10
-10
≥1X10
14
冷门/位天
牛顿/厘米
2
(1)
(2)
设备不会闭锁由于任何指定的辐射照射的条件。
o
o
工作条件(除非另有说明) : VDD = 3.0V至3.6V , TA = -55 ℃〜 125℃
绝对最大额定值( 1 )
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
θJC
TJ
(1)
(2)
(3)
(4)
参数
电源电压范围( 2 )
任何引脚电压( 2 )
存储温度(零偏)
焊接温度( 5秒)
最大功率耗散( 3 )
DC或平均输出电流
美国东部时间输入保护电压( 4 )
热电阻( JCT-到案例)
结温
-0.5
-0.5
-65
等级
最大
4.6
VDD+0.5
150
270
2.5
25
2
175
单位
V
V
°C
°C
W
mA
V
° C / W
°C
2000
36引脚FP
超过上述所列的压力可能会导致永久性损坏。这些压力额定值只,和运行在这些级别是
不是暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
电压引用到VSS。
RAM的功耗( IDDSB + IDDOP )加RAM的输出驱动器的功耗是由于外部载荷不得超过本
特定连接的阳离子。
2级静电放电( ESD)保护的输入。由统计暨普查局认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
符号
VDD
TA
VPIN
VDDramp
参数
电源电压(参考VSS )
环境温度
任何引脚电压(参考VSS )
VDD打开斜坡时间
3.0
-55
-0.3
描述
典型值
最大
3.3
25
3.6
125
VDD+0.3
50
单位
V
°C
V
ms
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DC电气特性
符号
IDDSB
参数
静态电源电流
TA=25°C
TA=125°C
静态电源电流
取消
动态电源电流,
选择的(写)
1兆赫
2兆赫
10兆赫
25 MHZ
40 MHZ
动态电源电流,
选中(读)
1兆赫
2兆赫
10兆赫
25 MHZ
40 MHZ
动态电源电流,
取消
动态电源电流,
睡觉
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
最坏的情况( 1 )
最大
5
10
24
单位
测试条件
mA
mA
IDDOP3
IDDOPW
VDD =最大值, IOUT = 0毫安,
投入稳定
VDD =最大值, IOUT = 0毫安,
F = f最大, NSL = NCS = VIH ( 2 )
9
18
89
160
260
毫安/ MHz的
VDD =最大值, IOUT = 0毫安,
NSL = VIH , NCS = VIL ( 1 )
IDDopr
IDDOP1
IDDOP2
II
IOZ
VIL
VIH
VOL
VOH
(1)
(2)
4
8
40
100
160
1.5
0.2
-5
-10
5
10
0.3xVDD
0.7xVDD
0.4
2.7
毫安/ MHz的
VDD =最大值, IOUT = 0毫安,
NSL = VIH , NCS = VIL ( 1 )
mA
mA
µA
µA
V
V
V
V
VDD =最大值, IOUT = 0毫安,
F = 1MHz时, NSL = VIH ( 2 )
VDD =最大值, IOUT = 0毫安,
F = 1MHz时, NSL = VIL ( 2 )
VSS VDD VI
VSS VIO
VDD输出=高阻
VDD=3.0V
VDD=3.6V
VDD = 3.0V , IOL = 8毫安
VDD = 3.0V , IOH = 4毫安
最坏的情况下工作条件: VDD = 3.0V至3.6V , -55 ° C至+ 125°C ,后总剂量为25 ℃。
所有输入切换。直流平均电流。
电容(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
最坏的情况( 1 )
最大
9
8
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS , F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS , F = 1兆赫
( 1 )该参数仅在最初的设计特性进行测试。
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