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HX6408XERM 512K ×8静态RAM (512k x 8 STATIC RAM)
.型号:   HX6408XERM
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描述: 512K ×8静态RAM
512k x 8 STATIC RAM
文件大小 :   167 K    
页数 : 11 页
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品牌   HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
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100%
HX6408
先进的信息
HX6408
512K ×8静态RAM
在512K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能524,288字×8位的静态随机存取
存储器具有可选的工业标准功能。这是
制造与霍尼韦尔的抗辐射硅在
绝缘体(SOI)技术,并且被设计为在低使用
电压系统中的辐射环境中工作。该
内存工作在整个军用温度范围内
只需要一个3.3 V± 0.3V电源。动力
消费一般是<30毫瓦@ 1MHz的写模式,
<14毫瓦@ 1MHz的在读模式,且小于5毫瓦
在待机模式时。
霍尼韦尔增强型RICMOS ™ (放射不敏感
CMOS ) SOI V技术是通过抗辐射
采用先进的和专有的设计,布局和流程
强化技术。
该RICMOS ™V低功耗工艺是一种SOI CMOS
技术用80埃的栅氧化层和一个最小
0.35绘制的特征尺寸
µm.
附加功能
包括钨,通过接触插头,霍尼韦尔
专有夏普平坦化工艺和轻
掺杂漏极( LDD)结构,以提高短
通道的可靠性。七晶体管( 7T )存储单元
用于高级单粒子翻转硬化,
而三层金属粉末校车和低
收藏量SOI衬底提供了改进的
剂量率硬化。
特点
制作与RICMOS ™V
绝缘体上硅( SOI)的
0.35毫米过程(L
EFF
= 0.28 µm)
总剂量
3x10
5
和1×10
6
RAD (SIO
2
)
中子
≥1x10
cm
14
-2
无闭锁
读/写周期时间
≤20
NS ( 3.3 V ) , -55至125°C
典型工作功耗( 3.3 V )
<14毫瓦@ 1MHz的阅读
<30毫瓦@ 1MHz的写
<5 mW的待机模式
异步操作
CMOS兼容的I / O
单电源供电,
3.3 V ± 0.3 V
操作范围为
-55 ° C至+ 125°C
36引脚扁平封装包
可选低功耗的睡眠
模式
动态和静态瞬态翻转
≥1x10
10
RAD (SI ) / S( 3.3 V )
剂量率生存能力
≥1x10
12
RAD (SI ) / S
软错误率
≤1x10
-10
搅得/位天( 3.3 V )
1
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