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描述:
LU1004D  LU1200C  LU150Z  LU130Z  LU100  LU100Z  LU140Z  LU170Z  LU160Z  LTYB  
H2N7002SN N沟道MOSFET ( 60V , 0.2A ) (N-Channel MOSFET (60V, 0.2A))
.型号:   H2N7002SN
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描述: N沟道MOSFET ( 60V , 0.2A )
N-Channel MOSFET (60V, 0.2A)
文件大小 :   117 K    
页数 : 5 页
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品牌   HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
购买 :   
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100%
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200605
发行日期: 2006年2月1日
修订日期: 2006年2月7日
页页次: 1/5
H2N7002SN
N沟道MOSFET ( 60V , 0.2A )
H2N7002SN引脚分配&符号
3
2
3引脚塑封
SOT-323
封装代码: SN
引脚1 : 2门:源3 :漏
1
D
描述
N沟道增强型MOS晶体管。
G
S
绝对最大额定值
漏源电压............................................................................................................................................ 60 V
漏,栅极电压(R
GS
= 1MΩ ) ............................................................................................................................. 60 V
栅源电压...........................................................................................................................................
±20
V
连续漏电流(T
A
=25°C)
(1)
............................................................................................................. 200毫安
连续漏电流(T
A
=100°C)
(1)
........................................................................................................... 115毫安
漏电流脉冲(T
A
=25°C)
(2)
.................................................................................................................... 800毫安
总功率耗散(T
C
=25°C).................................................................................................................. 200毫瓦
减免上述25℃ .................................................................................................................................. 0.16毫瓦/
°C
存储Temperature................................................................................................................................ -55到150
°C
工作结温.............................................................................................................. -55到150
°C
焊接温度, 10秒焊接...................................................................................................... 260
°C
热特性
热阻, Junction-to-Ambient................................................................................................... 625
°C
/ W
电气特性
(T
A
=25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门源漏电流,正向
门源漏电流,反向
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏源通态电压
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS /女
I
GSS / R
I
DSS
I
D(上)
V
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=0, I
D
=10uA
V
DS
= 2.5V ,我
D
=0.25mA
V
GS
=+20V, V
DS
=0
V
GS
=-20V, V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
>2V
DS ( ON)
, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安,V
GS
=10V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=75mA
静态漏源导通电阻
正向跨导
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
G
FS
t
D(上)
t
D(关闭)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
GS
= 5V ,我
D
=50mA
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA
V
DS
>2V
DS ( ON)
, I
D
=200mA
(V
DD
= 50V ,R
D
=250Ω,
V
GS
= 10V ,R
G
=50Ω)
60
1
-
-
-
500
-
-
-
-
-
80
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
2.8
2.3
-
20
40
-
-
-
最大
-
2.5
100
-100
1
-
0.375
3.75
5.3
5
5
-
-
-
50
25
5
单位
V
V
nA
nA
uA
mA
V
V
mS
nS
nS
pF
pF
pF
(1)在封装的功率耗散,可能会导致在连续的漏极电流。
( 2 )脉冲Width≤300us ,职务cycle≥2 % 。
H2N7002SN
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