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SVC820D-10B  SVC820D-07B  SVC821D-14A  SVC911D-20A  SVC821D-20A  SVC820D-14A  SVC820D-07A  SVC820D-14B  SVC820D-10A  SVC911D-10A  
FCX591 晶体管( PNP ) (TRANSISTOR (PNP))
.型号:   FCX591
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描述: 晶体管( PNP )
TRANSISTOR (PNP)
文件大小 :   327 K    
页数 : 2 页
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品牌   HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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100%
FCX591
晶体管( PNP )
SOT-89
特点
功耗
1.基地
2.收集
1
2
3
标记: P1
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-80
-60
-5
-1
0.5
150
-65-150
单位
V
V
V
A
W
3.辐射源
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
*
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
TEST
条件
-80
-60
-5
-0.1
-0.1
-0.1
100
100
80
15
300
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,
I
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -60 V,I
E
=0
V
EB
=-4 V ,
I
C
=0
V
CES
= -60 V,I
E
=0
V
CE
=-5V,
V
CE
=-5V,
V
CE
=-5V,
V
CE
=-5V,
I
C
= -1mA
I
C
= -500mA
I
C
= -1A
I
C
= -2A
直流电流增益
h
FE
*
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
V
BE
*
f
T
C
ob
I
C
= -500毫安,我
B
= -50mA
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
V
CE
=-5V,
I
C
= -1A
150
-0.3
-0.6
-1.2
-1
V
V
V
兆赫
V
CE
= -10V ,我
C
= - 50毫安
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
10
pF
*脉冲宽度= 300秒。占空比2 %
1 
金隅
半导体
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D�½��½��½�:2011/05
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