MAX34334CSE 第1页-第4页 PDF中文翻译页面详情预览
MM3Z5221B~MM3Z5267B
硅平面齐纳二极管
钉扎
特点
•总功耗:最大。 300毫瓦
•小型塑料封装,适合
表面贴装设计
•容差约为±5 %
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 323和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
300
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
θJA
V
F
马克斯。
417
0.9
单位
O
C / W
V
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05
MM3Z5221B~MM3Z5267B
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压范围
1)
TYPE
MM3Z5221B
MM3Z5223B
MM3Z5225B
MM3Z5226B
MM3Z5227B
MM3Z5228B
MM3Z5229B
MM3Z5230B
MM3Z5231B
MM3Z5232B
MM3Z5234B
MM3Z5235B
MM3Z5236B
MM3Z5237B
MM3Z5239B
MM3Z5240B
MM3Z5241B
MM3Z5242B
MM3Z5243B
MM3Z5245B
MM3Z5246B
MM3Z5248B
MM3Z5249B
MM3Z5250B
MM3Z5251B
MM3Z5252B
MM3Z5253B
MM3Z5254B
MM3Z5256B
MM3Z5257B
MM3Z5258B
MM3Z5259B
MM3Z5260B
MM3Z5261B
MM3Z5262B
MM3Z5263B
MM3Z5265B
MM3Z5266B
MM3Z5267B
1)
动态阻抗
Z
ZT
( MAX 。 )
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
22
30
13
16
17
21
23
25
29
33
35
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
Z
ZK
( MAX 。 )
1200
1300
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1600
1700
在我
ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
反向电流
I
R
μA (最大)
100
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
4
5
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11
12
14
14
15
17
18
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
记号
CODE
A1
B1
C1
D1
E1
F1
H1
J1
K1
M1
N1
P1
R1
X1
Y1
Z1
A2
B2
C2
D2
E2
F2
N9
H2
J2
K2
P9
M2
N2
P2
R2
X2
Y2
Z2
A3
B3
C3
D3
E3
V
ZNOM
V
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
19
20
22
24
25
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
8.5
7.8
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2
1.8
1.7
V
ZT
V
2.28…2.52
2.57…2.84
2.85…3.15
3.14…3.47
3.42…3.78
3.71…4.1
4.09…4.52
4.47…4.94
4.85…5.36
5.32…5.88
5.89…6.51
6.46…7.14
7.13…7.88
7.79…8.61
8.65…9.56
9.5…10.5
10.45…11.55
11.4…12.6
12.35…13.65
14.25…15.75
15.2…16.8
17.1…18.9
18.05…19.95
19…21
20.9…23.1
22.8…25.2
23.75…26.25
25.65…28.35
28.5…31.5
31.35…34.65
34.2…37.8
37.05…40.95
40.85…45.15
44.65…49.35
48.45…53.55
53.2…58.8
58.9…65.1
64.6…71.4
71.25…78.75
V
Z
与脉冲测试( 20毫秒)
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05
MM3Z5221B~MM3Z5267B
300
功耗: P合计(MW )
200
100
0
0
25
100
环境温度: TA( C)
O
150
降额曲线
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05
MM3Z5221B~MM3Z5267B
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-323
A
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.10
0.80
b
p
0.40
0.25
C
0.15
0.10
D
1.80
1.60
E
1.35
1.15
H
E
2.80
2.30
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05
相关元器件产品Datasheet PDF文档

MM3Z5265BH

SILICON PLANAR ZENER DIODES
8 ZOWIE

MM3Z5266B

Silicon Planar Zener Diodes
20 HTSEMI

MM3Z5266BH

SILICON PLANAR ZENER DIODES
14 ZOWIE

MM3Z5267B

Silicon Planar Zener Diodes
21 HTSEMI

MM3Z5267BH

SILICON PLANAR ZENER DIODES
9 ZOWIE

MM3Z5518

LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODE
20 MICROSEMI