A035BJ-01 [HUASHAN]
NPN SILICON TRANSISTOR; NPN硅晶体管
| 型号： | A035BJ-01 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：27K) |
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PNP S I L I C O N
T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
1015 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A035BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：350×350µm 2
焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SA1015，H1015
█ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度
Tj——结温
-55~150℃
150℃
400mW
-50V
PC——集电极耗散功率
V
V
V
CBO——集电极—基极电压
CEO——集电极—发射极电压
EBO——发射极—基极电压
-50V
-5V
IC——集电极电流
-150mA
█ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
参数符号
符 号 说 明
最小值 典型值 最大值 单 位
测 试 条 件
ICBO
IEBO
hFE
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
-0.1
-0.1
700
µA
µA
VCB=-50V，IE=0
VEB=-5V，IC=0
70
25
VCE=-6V，IC=-2mA
VCE=-6V，IC=-150mA
IC=-100mA，IB=-10mA
IC=-100mA，IB=-10mA
IC=-100µA，IE=0
IC=-1mA，IB=0
VCE(sat)
VBE(sat)
BVCBO
BVCEO
BVEBO
fT
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
-0.3
-1.1
V
V
V
V
V
-50
-50
-5
IE=-10µA，IC=0
80
MHz VCE=-10V，IC=-1mA
相关型号：
A0360644
Board Connector, 60 Contact(s), 4 Row(s), Female, Right Angle, Solder Terminal, Receptacle
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