C035BJ-00 [HUASHAN]
PNP SILICON TRANSISTOR; PNP硅晶体管
| 型号： | C035BJ-00 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：27K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
PNP S I L I C O N
T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
9015 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C035BJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：350×350µm 2
焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：SS9015，H9015
█ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度
Tj——结温
- 55~150℃
150℃
PC——集电极耗散功率
450mW
-50V
V
V
V
CBO——集电极—基极电压
CEO——集电极—发射极电压
EBO——发射极—基极电压
-45V
-5V
IC——集电极电流
-150mA
█ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
参数符号
符 号 说 明
最小值 典型值 最大值 单 位
测 试 条 件
ICBO
IEBO
hFE
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
-0.05
-0.05
800
µA
µA
VCB=-30V，IE=0
VEB=-5V，IC=0
60
VCE=-5V，IC=-1mA
IC=-100mA，IB=-5mA
IC=-100mA，IB=-5mA
IC=-100µA，IE=0
IC=-1mA，IB=0
VCE(sat） 集电极—发射极饱和电压
-0.7
V
V
V
V
V
VBE(sat)
BVCBO
BVCEO
BVEBO
fT
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
-1.0
-50
-45
-5
IE=-100µA，IC=0
100
MHz VCE=-5V，IC=-10mA
相关型号：
C038P
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
CDIL
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明