D400AG-00 [HUASHAN]
NPN SILICON TRANSISTOR; NPN硅晶体管
| 型号： | D400AG-00 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：101K) |
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N P N S I L I C O N
T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
13009A 晶体管芯片
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D400AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：4000×4000µm 2
焊位尺寸：B 极783×1100µm 2，E 极754×1276µm 2
电极金属：铝
背面金属：钒-镍-银
典型封装：KSH13009
█ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220）
Tstg——贮存温度………………………………… -65~150℃
Tj——结温……………………………………………… 150℃
PC——集电极耗散功率（Tc=25℃）………………… 100W
VCBO——集电极—基极电压…………………………… 700V
VCEO——集电极—发射极电压………………………… 400V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………9V
IC——集电极电流（DC）…………………………………12A
IB——基极电流………………………………………………6A
█ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220）
参数符号
符 号 说 明
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
最小值 典型值 最大值 单 位
测 试 条 件
400
V
IC=10mA，IB=0
BVCEO
IEBO
hFE
1
40
30
1
1.5
3
mA VEB=9V，IC=0
VCE=5V，IC=5A
10
6
VCE=5V，IC=8A
IC=5A，IB=1A
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
V
V
V
VCE(sat)
VBE(sat)
IC=8A，IB=1.6A
IC=12A，IB=3A
IC=5A，IB=1A
IC=8A，IB=1.6A
VCB=10V，f=0.1MHz
1.2
1.6
V
V
共基极输出电容
特征频率
180
pF
Cob
fT
tON
tSTG
tF
4
MHz VCE=10V，IC=0.5A
导通时间
1.1
3.0
0.7
µS
µS
µS
贮存时间
VCC=125V，IC=8A
IB1=-IB2=1.6A
下降时间
相关型号：
D4015L
Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V
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