概述
数据手册H370 概述
NPN SILICON TRANSISTOR NPN硅晶体管
H370 数据手册
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PDF下载N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H370
█ APPLICATIONS
If pre-amplifiers of television receivers
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation…………………………………500mW
VCBO——Collector-Base Voltage………………………………40V
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………15V
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………4.5V
IC——Collector Current………………………………………100mA
1― Collector，C
2― Base，B
3―Emitter，E
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
Symbol
Characteristics
Collector Cut-off Current
Emitter-Base Cut-off Current
DC Current Gain
Min
Typ
Max Unit
Test Conditions
ICBO
IEBO
HFE
fT
400 nA
100 nA
VCB=20V, IE=0
VEB=2V, IC=0
VCE=1V, IC=10mA
IC=10mA ，VCE=10V,
40
Current Gain-Bandwidth Product
500
490
MHz
IC=40mA， f=100MHz
fT
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