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CCF55383RFKR36  CCF-553K16FKR36  CCF553M01FKR36  CCF-553K24FKE36  CCF553M01FKE36  CCF-553K65FKE36  CCF5539K2FKE36  CCF-553K01FKR36  CCF-553M01FKE36  CCF-553K09FKR36  
ESJA02-20  (20mA 20kV HIGH VOLTAGE, SILICON RECTIFIER DIODES)
.型号:   ESJA02-20
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描述:
20mA 20kV HIGH VOLTAGE, SILICON RECTIFIER DIODES
文件大小 :   59 K    
页数 : 1 页
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品牌   HVGT [ GETAI ELECTRONIC DEVICE CO.,LTD ]
购买 :   
   
ESJA02-20  (20mA 20kV HIGH VOLTAGE, SILICON RECTIFIER DIODES)
PDF原版 中文翻译版  
100%
HVGT
ESJA02-20
ESJA02-20
20毫安20kV的高压,硅整流二极管
外形图:
mm
DO-415
LOT号
阴极标记
o 4.2
o 0.8
是可靠性高的树脂模制型耐高压
二极管在小尺寸封装,是密封的multilayed
台面型硅芯片通过环氧树脂。
特点
高速开关
HIGH CURRENT
高浪涌电阻率的CRT放电
高可靠性设计
高压
25分钟。
15
25分钟。
应用
X光电源
激光
倍压电路
微波发射功率
阴极标记
TYPE
标志
ESJA02-20
ESJA02-20
最大额定值和特性
绝对最大额定值
重复峰值电压Renerse
平均输出电流
Suege电流
结温
允许工作温度案例
储存温度
符号
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
Tc
T
英镑
条件
ESJA02-20
20
单位
kV
mA
A
PEAK
°C
°C
°C
TA = 25 ℃时,电阻性负载
20
1.5
125
120
-40到+125
电气特性(Ta = 25 ° C除非另有说明)
最大正向电压降
最大反向电流
符号
V
F
IR
1
IR
2
最大反向恢复时间
结电容
TRR
Cj
条件
在25℃下,我
F
=I
F( AV )
在25℃ ,V
R
=V
RRM
在100℃下,V
R
=V
RRM
在25℃下
在25℃ ,V
R
=0V,f=1MHz
ESJA02-20
40
3.0
30
100
1.0
单位
V
uA
uA
nS
pF
GETE ELECTRONICS CO 。 , LTD。
Http://www.getedz.com
电子信箱: sales@getedz.com
2015
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