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HV-T72
5mA 10kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODE
High reliability resin molded type high voltage diode
in small size package which is sealed a multilayed
台面型硅芯片通过环氧树脂。
外形图:
特点
高速开关
Epoxy resin molded in vacuum,
Have anticorrosion in the surface
高浪涌电阻率的CRT放电
高可靠性设计
雪崩特性
应用
X光电源
激光
倍压电路
微波发射功率
General purpose high voltage rectifier,
Voltage multiplier assembly.
DO-210 Series
Lead Diameter 0.6mm
2.5mm
26mm
10mm
最大额定值和特性
绝对最大额定值
重复峰值电压Renerse
平均输出电流
Suege电流
结温
允许工作温度案例
储存温度
符号
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
Tc
T
英镑
Ta=25°C,
TA = 25 ℃时,电阻性负载
Ta=25°C,8.3 ms
条件
T7
2
HV-T72
10
5.0
0.5
125
125
-40到+125
单位
kV
mA
A
PEAK
°C
°C
°C
电气特性(Ta = 25 ° C除非另有说明)
最大正向电压降
最大反向电流
符号
V
F
IR
1
IR
2
最大反向恢复时间
结电容
GETE ELECTRONIC CO.,LTD
GUANGZHOU * CHINA
条件
在25℃下,我
F
=I
F( AV )
在25℃ ,V
R
=V
RRM
在100℃下,V
R
=V
RRM
at 25°C; I
F
=2mA;
I
R
=4mA;
I
rr
=1mA;
HV-T72
36
2.0
5.0
80
1.0
单位
V
uA
uA
nS
pF
TRR
Cj
at 25°C; V
R
=0V,f=1MHz
E-mail: sales@getedz.com
4001 83 84 85
China Tel:
n
n
Tel: 0086-20-8184 9628
Fax: 0086-20-8184 9638
n
www.getedz.com
www.hvgtsemi.com
01
HV-T72
5mA 10kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODE
典型特征:
I
FM
(MA )
I
RRM
( UA)
1
0.1
0.01
━T
a
=25℃
┅T
a
=100℃
━T
a
=25℃
28
24
20
16
12
8
4
0
10
20
30
40
50
60
0.001
┅T
a
=100℃
0
4
8
12
16
20
V
FM
(V)
Figure 1. Forward characteristics
V
RM
(千伏)
Figure 2.   Reverse characteristics
I
F( AV )
(MA )
V
R
(千伏)
20
T
a
≤100℃
2
T
a
≤100℃
16
1.5
12
1
8
0.5
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I
F( AV )
(MA )
Figure 3.     V
R
‐I
F( AV )
曲线
0
10
100
1000
f
H
(馀
Z
)
Figure 4.     I
F( AV )
‐f
H
曲线
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GUANGZHOU * CHINA
n
E-mail: sales@getedz.com
4001 83 84 85
China Tel:
n
Tel: 0086-20-8184 9628
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02
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