元器件型号: | H5TQ1G63DFR |
生产厂家: | HYNIX SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | 1Gb DDR3 SDRAM |
PDF文件: | 总172页 (文件大小:2555K) |
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型号参数:H5TQ1G63DFR参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, |
针数 | 96 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.32 |
风险等级 | 5.78 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 1073741824 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 96 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.5 mm |
Base Number Matches | 1 |
1Gb DDR3 SDRAM
1GB DDR3 SDRAM