H5TQ4G43AMR [HYNIX]

4Gb DDR3 SDRAM; 4GB DDR3 SDRAM
H5TQ4G43AMR
元器件型号: H5TQ4G43AMR
生产厂家: HYNIX SEMICONDUCTOR    HYNIX SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4Gb DDR3 SDRAM
4GB DDR3 SDRAM

动态存储器 双倍数据速率
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型号参数:H5TQ4G43AMR参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商SK HYNIX INC
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.69
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度11 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织1GX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度7.5 mm
Base Number Matches1