HY5PS121621CFP-28
更新时间：2024-09-18 19:11:02
品牌：HYNIX
描述：DDR DRAM, 32MX16, 0.55ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84
概述
规格参数
数据手册HY5PS121621CFP-28 概述
DDR DRAM, 32MX16, 0.55ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 DRAM
HY5PS121621CFP-28 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
| 针数： | 84 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.8 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.55 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 350 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA84,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.008 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.32 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
HY5PS121621CFP-28 数据手册
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