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1GB DDR3 SDRAM
1GB DDR3 SDRAM
无铅Free&Halogen免费
(符合RoHS )
H5TQ1G43BFR-xxC
H5TQ1G83BFR-xxC
H5TQ1G63BFR-xxC
*海力士半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知
版本1.0 / 2009年12月
1
修订历史
版本号
0.1
0.2
0.3
0.4
1.0
历史
初步初始版本
新增IDD规格
包装尺寸标注变化 - 无
物理变化
更新IDD规格
JEDEC更新
草案日期
2008年9月
2009年1月
2009年4月
2009年4月
2009年12月
备注
初步
版本1.0 / 2009年12月
2
描述
该H5TQ1G43BFR - XXC , H5TQ1G83BFR - XXC和H5tQ1G63BFR - XXC有1,073,741,824位CMOS双
数据速率Ⅲ( DDR3)同步DRAM ,非常适用于需要在主存储器中的应用程序
大内存密度和高带宽。海力士1GB DDR3 SDRAM芯片提供完全同步操作
参考时钟的上升沿和下降沿。虽然所有的地址和控制输入锁存
在CK的上升沿(下降沿在CK的边缘) ,数据,数据选通信号和写数据掩码输入
采样在它的上升沿和下降沿。的数据通路内部流水线和8位预取
实现非常高的带宽。
设备特点及订购信息
特点
• VDD = VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
•全差分时钟输入( CK , CK )操作
•差分数据选通( DQS , DQS )
•片上DLL对齐DQ , DQS和DQS与CK过渡
过渡
• DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
•所有的地址和控制输入数据以外,
数据选通信号和数据锁存面具上
在时钟的上升沿
•可编程CAS延迟6 , 7 , 8 , 9 , 10
支持
•可编程附加延迟是0,CL -1和CL -2
支持
•可编程CAS写入延迟( CWL ) = 5 , 6 , 7
•可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
• BL的飞行开关
• 8banks
•平均更新周期(的温度上限
0
o
C~ 95
o
C)
- 7.8微秒的
0
o
C ~ 85
o
C
- 3.9
μs的85
o
C ~ 95
o
C
•自动自刷新支持
• JEDEC标准78ball FBGA ( X4 / X8 ) , 96ball FBGA ( X16 )
•选择EMRS驱动力
•动态片上终端支持
•异步复位引脚支持
• ZQ校准支持
• TDQS (终止数据选通)支持( X8只)
•写Levelization支持
• 8位预取
*本产品符合RoHS指令。
版本1.0 / 2009年12月
3
订购信息
产品型号
H5TQ1G43BFR-*xxC
H5TQ1G83BFR-*xxC
H5TQ1G63BFR-*xxC
CON组fi guration
256M ×4
128M ×8
64M ×16
78ball FBGA
96ball FBGA
* XX表示速度等级斌
工作频率
速度
GRADE
(标记)
-G7
-H9
频率〔MHz〕
CL5
CL6
O
O
CL7
O
O
CL8
O
O
O
O
CL9
CL10
CL11
备注
( CL - tRCD的-TRP )
DDR3-1066 7-7-7
DDR3-1333 9-9-9
版本1.0 / 2009年12月
4
包装Ballout /机械尺寸
X4包装球出(顶视图) : 78ball FBGA封装(不支持球)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
VSS
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
NC
ODT
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
1
2
VDD
VSSQ
DQ2
NF
VDDQ
VSS
VDD
CS
BA0
A3
A5
A7
RESET
2
3
NC
DQ0
的DQ
的DQ
NF
RAS
CAS
WE
BA2
A0
A2
A9
A13
3
4
5
6
7
NF
DM
DQ1
VDD
NF
CK
CK
A10/AP
NC
A12/BC
A1
A11
A14
8
VSS
VSSQ
DQ3
VSS
NF
VSS
VDD
ZQ
VREFCA
BA1
A4
A6
A8
8
9
VDD
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
NC
CKE
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
4
5
6
7
注意: NF(无功能) - 这适用于只在x4的配置中使用的球。
1 2 3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
7 8 9
(顶视图:看穿包球)
填充球
球未填充
版本1.0 / 2009年12月
5
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