MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
HY64LD16162M系列
文档标题
1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
修订历史
修订历史号
1.0
1.1
初始
修订
- 改变引脚连接
- 从为45nS至30ns的提高脚趾
- 正确的状态图
1.2
修订
- 正确的封装尺寸
- 改变绝对最大额定值
1.3
修订
- 直流电气特性(I
DPD
,I
CC1
)
- 状态图
- 上电顺序
- 深层关机顺序
- 读/写周期注意事项
1.4
1.5
修订
- 直流电气特性( ICC1 : 3毫安 - > 5毫安)
修订
- 提高待机电流I
SB1
从为100uA至80uA
- 上电顺序
1.6
修订
- 提高ISB1 80uA至75uA
- 提高ICC2 30毫安至20mA
- 提高环境温度C / E来E / I
(0°C~85°C/-25°C~85°C
-25°C~85°C/-40°C~85°C)
- 提高最大绝对额定值
(VDD : -0.3V至3.3V
-0.3V至3.6V )
- 提高TOE为30ns至20ns的
1.7
修订
- 引脚说明
- 功率高达&深层关机顺序退出
三月11 “ 02
最终科幻
2月27日“ 02
初步
12月20日01
初步
11月14日01
初步
十月07. 01
初步
Jul.18 。 “01
初步
草案日期
04月01
七月03. 01
备注
初步
初步
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。 Hynix半导体公司不
假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.7
三月。 2002年
1
HY64LD16162M系列
1M ×16位低功耗低1T / 1C SRAM
描述
该HY64LD16162M是16Mbit的1T / 1C SRAM
通过高速运转和超低特色
功耗。该HY64LD16162M采用
一个晶体管存储单元和被组织成
1,048,576字由16位。该HY64LD16162M
操作温度的延伸范围和
支持宽工作电压范围。该
HY64LD16162M还支持深度关电
关闭模式的超低待机电流。该
HY64LD16162M提供高密度低
功耗SRAM能力,高速低功耗
系统。
特点
• CMOS工艺技术
• 1M ×16位组织
• TTL兼容和三态输出
•深度掉电:存储单元数据无效举行
•标准引脚配置: 48 - FBGA
•数据屏蔽功能由/ LB , / UB
产品系列
产品编号
HY64LD16162M-DF85E
HY64LD16162M-DF85I
电压
[V]
2.3~2.7
2.3~2.7
模式
1CS与/ UB , / LB : TCS
1
1CS与/ UB , / LB : TCS
1
功耗
(I
SB1
马克斯) (我
DPD
马克斯) (我
CC2
马克斯)
75
µA
2
µA
20
mA
75
µA
2
µA
20
mA
速度
tRC的[ NS ]
85
85
温度。
[°C]
-25~85
-40~85
注1. TCS - / UB , / LB =高:芯片取消。
引脚连接
( TOP VIEW )
/磅
IO9
/ OE
/ UB
A0
A3
A5
A17
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
/CS1
IO2
IO4
IO5
IO6
/ WE
A11
CS2
A0
IO1
框图
ROW
解码器
IO1
SENSE AMP
COLUMN
解码器
PRE解码器
添加输入
卜FF器
IO10 IO11
VSS
VDD
IO12
IO3
VDD
VSS
A19
IO7
IO8
NC
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
IO8
IO9
数据I / O
卜FF器
写入驱动器
存储阵列
1,024K ×16
解码器
IO13 DNU
A14
A12
A9
IO15 IO14
IO16
A18
A19
A8
IO16
控制
逻辑
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/磅
/ UB
DNU
NC
引脚功能
芯片选择
深度掉电
写使能
低字节( IO1 〜 IO8 )
高字节( IO9 〜 IO16 )
不要使用
无连接
引脚名称
/ OE
IO1~IO8
IO9~IO16
A0~A19
VDD
VSS
引脚功能
OUTPUT ENABLE
较低的数据输入/输出
上面的数据输入/输出
地址输入
Power(2.3V~2.7V)
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。 Hynix半导体公司不
假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.7
三月。 2002年
2
HY64LD16162M系列
订购信息
产品型号
速度
HY64LD16162M-E
85
HY64LD16162M-I
85
1. E:扩展级温度。 ( -25 ° C〜 85°C )
2. I:工业级温度。 ( -40 ° C〜 85°C )
动力
LL-部分
LL-部分
温度
E
1
I
2
FBGA
FBGA
绝对最大额定值
1
符号
V
IN
,V
OUT
VDD
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
参数
输入/输出电压
电源
环境温度
储存温度
功耗
球焊接温度&时间
等级
-0.3〜 VDD + 0.3
-0.3〜 3.6
-25到85
-40到85
-55到150
1.0
260•10
单位
V
V
°C
°C
°C
W
° C•秒
备注
HY64LD16162M-E
HY64LD16162M-I
真值表
/ CS1 CS2
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
/ WE
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
/ OE
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
/磅
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
/ UB
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
输出禁用
I / O引脚
动力
I/O1~I/O8
I/O9~I/O16
高-Z
高-Z
待机
高-Z
高-Z
深度掉电
高-Z
高-Z
待机
D
IN
高-Z
活跃
D
OUT
高-Z
活跃
高-Z
高-Z
活跃
高-Z
D
IN
活跃
高-Z
D
OUT
活跃
高-Z
高-Z
活跃
D
IN
D
IN
活跃
D
OUT
D
OUT
活跃
高-Z
高-Z
活跃
1. H = V
IH
中,L = V
IL
, X =才不管(V
IL
或V
IH
)
2 / UB , / LB (上,下字节使能)
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当/ LB为低时,数据被写入或读出的低位字节, I / O1 - I / O8 。
当/ UB为低时,数据被写入或读出的高字节,I / O9 - 的I / O16 。
修订版1.7
三月。 2002年
3
HY64LD16162M系列
建议的直流工作条件
符号
VDD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.3
0
2.0
-0.3
1
典型值。
2.5
-
-
-
马克斯。
2.7
0
Vdd+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
注1: VIL = -1.5V脉冲宽度小于10ns的
欠采样,而不是100 %测试。
DC电气特性
VDD = 2.3 〜 2.7V ,T
A
= -25 ° C至85°C ( E) / -240 ° C至85°C ( I)
符号。
参数
测试条件
I
LI
输入漏电流
V
SS
≤V
IN
= VDD
I
LO
输出漏电流
V
SS
≤V
OUT
≤Vdd ,
/CS1=V
IH
, CS2 = V
IH
,
/ OE = V
IH
或/ WE = V
IL
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-1
-
1
µA
-1
-
1
µA
I
CC
工作电源电流
/CS1=V
IL
, CS2 = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
, I
I / O
=0mA
/ CS1≤ 0.2V , CS2
≥Vdd-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vdd-0.2V,
周期时间= 1
µs
.
100 %的责任,我
I / O
=0mA
/CS1=V
IL
, CS2 = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
,周期时间=最小。
100 %的责任,我
I / O
=0mA
-
-
3
mA
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
I
SB
I
SB1
I
DPD
V
OL
V
OH
TTL待机电流
待机电流( CMOS输入)
深度掉电电流
输出低电压
输出高电压
-
-
5
mA
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
20
0.5
75
2
0.4
-
mA
mA
µA
µA
V
V
/CS1,CS2=V
IH
或/ UB , / LB = V
IH
/ CS1,CS2
VDD
-
0.2V
或/ UB , / LB
VDD
-
0.2V
CS2
V
SS+
0.2V
I
OL
=0.5mA
I
OH
=-0.5mA
电容
(温度= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
参数
C
IN
输入电容(添加, / CS1 , CS2 , / WE , / OE , / UB , / LB )
C
OUT
输出电容( I / O)
注:这些参数进行采样,而不是100 %测试
条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
MAX 。 UNIT
8
pF
10 pF的
修订版1.7
三月。 2002年
4
HY64LD16162M系列
AC特性
VDD = 2.3V 〜 2.7V ,T
A =
-25°C至85°C ( E) / -40 ° C至85°C ( I) ,除非另有说明
-85
#
符号
参数
分钟。
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
85
-
2
TAA
地址访问时间
-
85
3
TACS
芯片选择访问时间
-
85
4
TOE
输出使能到输出有效
-
20
5
TBA
/ LB , / UB访问时间
-
85
6
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
7
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
8
tBLZ
/ LB , / UB启用到输出中低Z
10
-
9
TCHZ
芯片禁用高Z输出
0
30
10
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
11
tBHZ
/ LB , / UB禁用到输出中高Z
0
30
12
TOH
从地址变更输出保持
10
-
写周期
13
TWC
写周期时间
85
-
14
TCW
芯片的选择要写入的结束
70
-
15
TAW
地址有效到写结束
70
-
16
TBW
/ LB , / UB有效到写结束
70
-
17
TAS
地址建立时间
0
-
18
TWP
把脉冲宽度
60
-
19
tWR的
写恢复时间
0
-
20
tWHZ
写在高Z输出
0
30
21
TDW
数据写入时间重叠
30
-
22
TDH
从时间写数据保持
0
-
23
拖车
输出写入结束活动
5
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A =
-25°C至85°C ( E) / -40 ° C至85°C ( I) ,除非另有说明
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.1V
输出负载
见下文
AC测试负载
D
OUT
Z
0
= 50欧姆
R
L
= 50欧姆
V
L
=1.1 V
C
L
1
= 30 pF的
1.包括夹具和范围电容。
修订版1.7
三月。 2002年
5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

HY64LD16322M

x16|2.5(VDD)2.5(VDDQ)V|85|Pseudo SRAM - 32M
24 icpdf_datashe

HY64LD16322M-DF85E

PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
4 icpdf_datashe

HY64LD16322M-DF85I

PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
5 icpdf_datashe

HY64SD16162B

1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
14 HYNIX

HY64SD16162B-DF85E

1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
30 HYNIX

HY64SD16162B-DF85I

1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
7 HYNIX