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HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY64LD16162M系列
文档标题
1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
修订历史
修订历史号
1.0
1.1
初始
修订
- 改变引脚连接
- 从为45nS至30ns的提高脚趾
- 正确的状态图
1.2
修订
- 正确的封装尺寸
- 改变绝对最大额定值
1.3
修订
- 直流电气特性(I
DPD
,I
CC1
)
- 状态图
- 上电顺序
- 深层关机顺序
- 读/写周期注意事项
1.4
1.5
修订
- 直流电气特性( ICC1 : 3毫安 - > 5毫安)
修订
- 提高待机电流I
SB1
从为100uA至80uA
- 上电顺序
1.6
修订
- 提高ISB1 80uA至75uA
- 提高ICC2 30毫安至20mA
- 提高环境温度C / E来E / I
(0°C~85°C/-25°C~85°C
-25°C~85°C/-40°C~85°C)
- 提高最大绝对额定值
(VDD : -0.3V至3.3V
-0.3V至3.6V )
- 提高TOE为30ns至20ns的
1.7
修订
- 引脚说明
- 功率高达&深层关机顺序退出
三月11 “ 02
最终科幻
2月27日“ 02
初步
12月20日01
初步
11月14日01
初步
十月07. 01
初步
Jul.18 。 “01
初步
草案日期
04月01
七月03. 01
备注
初步
初步
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。 Hynix半导体公司不
假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.7
三月。 2002年
1
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