HY64LD16162M系列

1M ×16位低功耗低1T / 1C SRAM

描述

该HY64LD16162M是16Mbit的1T / 1C SRAM

通过高速运转和超低特色

功耗。该HY64LD16162M采用

一个晶体管存储单元和被组织成

1,048,576字由16位。该HY64LD16162M

操作温度的延伸范围和

支持宽工作电压范围。该

HY64LD16162M还支持深度关电

关闭模式的超低待机电流。该

HY64LD16162M提供高密度低

功耗SRAM能力，高速低功耗

系统。

特点

• CMOS工艺技术

• 1M ×16位组织

• TTL兼容和三态输出

•深度掉电：存储单元数据无效举行

•标准引脚配置： 48 - FBGA

•数据屏蔽功能由/ LB ， / UB

产品系列

产品编号

HY64LD16162M-DF85E

HY64LD16162M-DF85I

电压

[V]

2.3~2.7

2.3~2.7

模式

1CS与/ UB ， / LB ： TCS

1

1CS与/ UB ， / LB ： TCS

1

功耗

(I

SB1

马克斯） （我

DPD

马克斯） （我

CC2

马克斯）

75

µA

2

µA

20

mA

75

µA

2

µA

20

mA

速度

tRC的[ NS ]

85

85

温度。

[°C]

-25~85

-40~85

注1. TCS - / UB ， / LB =高：芯片取消。

引脚连接

（ TOP VIEW ）

/磅

IO9

/ OE

/ UB

A0

A3

A5

A17

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

A2

/CS1

IO2

IO4

IO5

IO6

/ WE

A11

CS2

A0

IO1

框图

ROW

解码器

IO1

SENSE AMP

COLUMN

解码器

PRE解码器

添加输入

卜FF器

IO10 IO11

VSS

VDD

IO12

IO3

VDD

VSS

A19

IO7

IO8

NC

/CS1

CS2

/ WE

/ OE

/磅

/ UB

IO8

IO9

数据I / O

卜FF器

写入驱动器

存储阵列

1,024K ×16

块

解码器

IO13 DNU

A14

A12

A9

IO15 IO14

IO16

A18

A19

A8

IO16

控制

逻辑

引脚说明

引脚名称

/CS1

CS2

/ WE

/磅

/ UB

DNU

NC

引脚功能

芯片选择

深度掉电

写使能

低字节（ IO1 〜 IO8 ）

高字节（ IO9 〜 IO16 ）

不要使用

无连接

引脚名称

/ OE

IO1~IO8

IO9~IO16

A0~A19

VDD

VSS

引脚功能

OUTPUT ENABLE

较低的数据输入/输出

上面的数据输入/输出

地址输入

Power(2.3V~2.7V)

地

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。 Hynix半导体公司不

假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。

修订版1.7

三月。 2002年

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