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HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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HY64LD16162M系列
1M ×16位低功耗低1T / 1C SRAM
描述
该HY64LD16162M是16Mbit的1T / 1C SRAM
通过高速运转和超低特色
功耗。该HY64LD16162M采用
一个晶体管存储单元和被组织成
1,048,576字由16位。该HY64LD16162M
操作温度的延伸范围和
支持宽工作电压范围。该
HY64LD16162M还支持深度关电
关闭模式的超低待机电流。该
HY64LD16162M提供高密度低
功耗SRAM能力,高速低功耗
系统。
特点
• CMOS工艺技术
• 1M ×16位组织
• TTL兼容和三态输出
•深度掉电:存储单元数据无效举行
•标准引脚配置: 48 - FBGA
•数据屏蔽功能由/ LB , / UB
产品系列
产品编号
HY64LD16162M-DF85E
HY64LD16162M-DF85I
电压
[V]
2.3~2.7
2.3~2.7
模式
1CS与/ UB , / LB : TCS
1
1CS与/ UB , / LB : TCS
1
功耗
(I
SB1
马克斯) (我
DPD
马克斯) (我
CC2
马克斯)
75
µA
2
µA
20
mA
75
µA
2
µA
20
mA
速度
tRC的[ NS ]
85
85
温度。
[°C]
-25~85
-40~85
注1. TCS - / UB , / LB =高:芯片取消。
引脚连接
( TOP VIEW )
/磅
IO9
/ OE
/ UB
A0
A3
A5
A17
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
/CS1
IO2
IO4
IO5
IO6
/ WE
A11
CS2
A0
IO1
框图
ROW
解码器
IO1
SENSE AMP
COLUMN
解码器
PRE解码器
添加输入
卜FF器
IO10 IO11
VSS
VDD
IO12
IO3
VDD
VSS
A19
IO7
IO8
NC
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
IO8
IO9
数据I / O
卜FF器
写入驱动器
存储阵列
1,024K ×16
解码器
IO13 DNU
A14
A12
A9
IO15 IO14
IO16
A18
A19
A8
IO16
控制
逻辑
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/磅
/ UB
DNU
NC
引脚功能
芯片选择
深度掉电
写使能
低字节( IO1 〜 IO8 )
高字节( IO9 〜 IO16 )
不要使用
无连接
引脚名称
/ OE
IO1~IO8
IO9~IO16
A0~A19
VDD
VSS
引脚功能
OUTPUT ENABLE
较低的数据输入/输出
上面的数据输入/输出
地址输入
Power(2.3V~2.7V)
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。 Hynix半导体公司不
假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.7
三月。 2002年
2
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