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STM722  STM820  STM422  STM-S3+-19.44MHZ  STM843  STM8N35/3  BF431  BF451  STM743  ZHAL20X10ACNL  
HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
HY64LD16162M系列
订购信息
产品型号
速度
HY64LD16162M-E
85
HY64LD16162M-I
85
1. E:扩展级温度。 ( -25 ° C〜 85°C )
2. I:工业级温度。 ( -40 ° C〜 85°C )
动力
LL-部分
LL-部分
温度
E
1
I
2
FBGA
FBGA
绝对最大额定值
1
符号
V
IN
,V
OUT
VDD
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
参数
输入/输出电压
电源
环境温度
储存温度
功耗
球焊接温度&时间
等级
-0.3〜 VDD + 0.3
-0.3〜 3.6
-25到85
-40到85
-55到150
1.0
260•10
单位
V
V
°C
°C
°C
W
° C•秒
备注
HY64LD16162M-E
HY64LD16162M-I
真值表
/ CS1 CS2
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
/ WE
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
/ OE
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
/磅
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
/ UB
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
输出禁用
I / O引脚
动力
I/O1~I/O8
I/O9~I/O16
高-Z
高-Z
待机
高-Z
高-Z
深度掉电
高-Z
高-Z
待机
D
IN
高-Z
活跃
D
OUT
高-Z
活跃
高-Z
高-Z
活跃
高-Z
D
IN
活跃
高-Z
D
OUT
活跃
高-Z
高-Z
活跃
D
IN
D
IN
活跃
D
OUT
D
OUT
活跃
高-Z
高-Z
活跃
1. H = V
IH
中,L = V
IL
, X =才不管(V
IL
或V
IH
)
2 / UB , / LB (上,下字节使能)
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当/ LB为低时,数据被写入或读出的低位字节, I / O1 - I / O8 。
当/ UB为低时,数据被写入或读出的高字节,I / O9 - 的I / O16 。
修订版1.7
三月。 2002年
3
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