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HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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100%
HY64LD16162M系列
建议的直流工作条件
符号
VDD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.3
0
2.0
-0.3
1
典型值。
2.5
-
-
-
马克斯。
2.7
0
Vdd+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
注1: VIL = -1.5V脉冲宽度小于10ns的
欠采样,而不是100 %测试。
DC电气特性
VDD = 2.3 〜 2.7V ,T
A
= -25 ° C至85°C ( E) / -240 ° C至85°C ( I)
符号。
参数
测试条件
I
LI
输入漏电流
V
SS
≤V
IN
= VDD
I
LO
输出漏电流
V
SS
≤V
OUT
≤Vdd ,
/CS1=V
IH
, CS2 = V
IH
,
/ OE = V
IH
或/ WE = V
IL
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-1
-
1
µA
-1
-
1
µA
I
CC
工作电源电流
/CS1=V
IL
, CS2 = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
, I
I / O
=0mA
/ CS1≤ 0.2V , CS2
≥Vdd-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vdd-0.2V,
周期时间= 1
µs
.
100 %的责任,我
I / O
=0mA
/CS1=V
IL
, CS2 = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
,周期时间=最小。
100 %的责任,我
I / O
=0mA
-
-
3
mA
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
I
SB
I
SB1
I
DPD
V
OL
V
OH
TTL待机电流
待机电流( CMOS输入)
深度掉电电流
输出低电压
输出高电压
-
-
5
mA
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
20
0.5
75
2
0.4
-
mA
mA
µA
µA
V
V
/CS1,CS2=V
IH
或/ UB , / LB = V
IH
/ CS1,CS2
VDD
-
0.2V
或/ UB , / LB
VDD
-
0.2V
CS2
V
SS+
0.2V
I
OL
=0.5mA
I
OH
=-0.5mA
电容
(温度= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
参数
C
IN
输入电容(添加, / CS1 , CS2 , / WE , / OE , / UB , / LB )
C
OUT
输出电容( I / O)
注:这些参数进行采样,而不是100 %测试
条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
MAX 。 UNIT
8
pF
10 pF的
修订版1.7
三月。 2002年
4
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