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描述:
TC43V  TC43V  TC433H2-A  TC433ED_A  
HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
HY64LD16162M系列
AC特性
VDD = 2.3V 〜 2.7V ,T
A =
-25°C至85°C ( E) / -40 ° C至85°C ( I) ,除非另有说明
-85
#
符号
参数
分钟。
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
85
-
2
TAA
地址访问时间
-
85
3
TACS
芯片选择访问时间
-
85
4
TOE
输出使能到输出有效
-
20
5
TBA
/ LB , / UB访问时间
-
85
6
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
7
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
8
tBLZ
/ LB , / UB启用到输出中低Z
10
-
9
TCHZ
芯片禁用高Z输出
0
30
10
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
11
tBHZ
/ LB , / UB禁用到输出中高Z
0
30
12
TOH
从地址变更输出保持
10
-
写周期
13
TWC
写周期时间
85
-
14
TCW
芯片的选择要写入的结束
70
-
15
TAW
地址有效到写结束
70
-
16
TBW
/ LB , / UB有效到写结束
70
-
17
TAS
地址建立时间
0
-
18
TWP
把脉冲宽度
60
-
19
tWR的
写恢复时间
0
-
20
tWHZ
写在高Z输出
0
30
21
TDW
数据写入时间重叠
30
-
22
TDH
从时间写数据保持
0
-
23
拖车
输出写入结束活动
5
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A =
-25°C至85°C ( E) / -40 ° C至85°C ( I) ,除非另有说明
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.1V
输出负载
见下文
AC测试负载
D
OUT
Z
0
= 50欧姆
R
L
= 50欧姆
V
L
=1.1 V
C
L
1
= 30 pF的
1.包括夹具和范围电容。
修订版1.7
三月。 2002年
5
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