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2440-005  2474-22L  2474-01L  2474-18L  2430-200  2474-13L  2474-08L  2474-05L  2474-33L  2440-200  
HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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100%
HY64LD16162M系列
时序图
读周期1 (注1,4)
TRC
添加
TAA
/CS1
TACS
TCHZ
(3)
CS2
VIH
TBA
tBHZ
(3)
/ OE
TOLZ
(3)
tBLZ
(3)
TCLZ
(3)
数据输出
高-Z
数据有效
TOE
tOHZ
(3)
TOH
/ UB , / LB
读周期2 (注1,2, 4)( CS 2 = VIH)
TRC
添加
TAA
TOH
数据输出
以前的数据
数据有效
TOH
读周期3 (注1,2, 4)( CS 2 = VIH)
/CS1
/ UB , / LB
TCLZ
(3)
数据输出
高-Z
数据有效
TACS
TCHZ
(3)
注意事项:
1.发生读周期时的高/ WE和/ OE是低电平,同时/ UB和/或/ LB和/ CS1和CS2是处于主动地位。
2 / OE = V
IL
3. tCHZ均, tBHZ和tOHZ被定义为时间,让输出达到高阻抗状态和TOLZ , tBLZ和tCLZ
被定义为在所述输出达到低阻抗状态的时间。
这些没有被引用到输出电压电平。
4. / CS1在高为待机状态,低电平有效。
/ UB和/ LB高为待机,低有效。
修订版1.7
三月。 2002年
7
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