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JQX-14FCCS10ADC613.5  JQX-14FCCS20ADC24NIL3.5  JQX-14FCCS3AAC240.83.5  JQX-14FCCS3AAC60.83.5  JQX-14FCCS10ADC60.85  JQX-14FCCS3AAC6NIL5  JQX-14FCCS20ADC241.25  JQX-14FCCS10ADC6NIL5  JQX-14FCCS3AAC120.85  JQX-14FCCS3ADC241.25  
HY64LD16162M 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM (1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM)
.型号:   HY64LD16162M
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描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 11 页
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品牌   HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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100%
HY64LD16162M系列
避免时间
力士1T / 1C SRAM具有不被支持在读出动作的定时。如果你的系统中有多个
无效的地址信号比tRC的较短期间超过10us的在读操作而表现出异常
定时,力士1T / 1C的SRAM需要一个正常的读出时序的至少期间为10μs这表明在可避免
定时(1)或拨动/ CS1至高电平( ≥tRC )一次性至少这表明在可避免的定时(2)
时序异常
/CS1
/ WE
<的tRC
添加
10us
可避免的时序( 1 )
/CS1
/ WE
10us
TRC
添加
可避免的时序( 2 )
/CS1
TRC
/ WE
<的tRC
添加
10us
修订版1.7
三月。 2002年
9
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