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32Mx72位
注册DDR SDRAM DIMM
HYMD132G725B(L)8-M/K/H/L
描述
海力士HYMD132G725B (L ), 8 -M / K / H / L系列注册184针双数据速率同步DRAM双列直插式
内存模块(DIMM ),该组织为32Mx72高速存储器阵列。力士HYMD132G725B (L)的8 -M /
K / H / L系列包括18 16Mx8 DDR SDRAM在400mil TSOP上184PIN环氧玻璃基板II封装。
力士HYMD132G725B (L)的8-M / K / H / L系列提供一种高性能的8字节接口中的5.25"宽度外形
行业标准。它适合于方便的交换和加法。
海力士HYMD132G725B (L ), 8 -M / K / H / L系列是专为高达高速,并提供完全同步操作
引用到的差分时钟输入的上升沿和下降沿。而所有地址和控制输入是
锁存时钟,数据,数据选通脉冲的上升沿和写入数据掩码输入的采样上的上升沿
和下降沿它的边缘。的数据通路内部流水线和2位预取,以达到非常高的带宽。所有
输入和输出电压值与SSTL_2兼容。高速的频率,可编程延迟和
突发长度可在高性能存储系统的各种设备的操作。
海力士HYMD132G725B (L ), 8 -M / K / H / L系列采用SPD(串行存在检测) 。串行存在检测功能
通过串行2048位EEPROM来实现。第128字节的串行数据的PD是由力士编程以识别
DIMM的类型,容量和DIMM的其他信息和最后128个字节是提供给客户。
特点
256MB ( 32M X 72 )注册的DDR DIMM基于
16Mx8 DDR SDRAM
JEDEC标准的184针双列直插式内存模块
( DIMM )
错误检查校正( ECC )功能
注册输入一个时钟延迟
锁相回路(PLL )时钟驱动器,以减少加载
2.5V +/- 0.2V VDD和VDDQ电源
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
全差分时钟操作( CK & / CK )与
100MHz/125MHz/133MHz
可编程CAS延时2 / 2.5的支持
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
tRAS的锁定功能的支持
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
4096刷新周期/ 64ms的
订购
信息
产品型号
HYMD132G725B(L)8-M
HYMD132G725B(L)8-K
HYMD132G725B(L)8-H
HYMD132G725B(L)8-L
V
DD
=2.5V
V
DDQ
=2.5V
电源
时钟频率
为133MHz ( DDR266 * : 2-2-2 )
133MHz的( * DDR266A )
133MHz的( * DDR266B )
125MHz的( * DDR200 )
接口
外形
SSTL_2
184PIN DIMM注册
5.25 X 1.7 X 0.15英寸
* JEDEC定义的规格标准
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
牧师/月0.3 。 02
1
HYMD132G725B(L)8-M/K/H/L
引脚说明
CK0 , / CK0
CS0 , CS1
CKE0 , CKE1
/ RAS , / CAS , / WE
A0 ~ A11
BA0 , BA1
DQ0~DQ64
CB0~CB7
DQS0~DQS7
DM0~8
VDD
/ RESET
引脚说明
差分时钟输入
片选输入
时钟使能输入
赞扬设置输入
地址
银行地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
数据选通输入/输出
数据掩码
电源
复位使能
VDDQ
VSS
VREF
VDDSPD
SA0~SA2
SCL
SDA
WP
VDDID
DU
NC
FETEN
引脚说明
的DQ电源
基准电源
电源的防雷器
E
2
PROM的地址输入
E
2
PROM时钟
E
2
PROM的数据I / O
写保护标志
VDD识别标志
不要使用
无连接
FET启用
引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
名字
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
/ RESET
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
DU
DU
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VDDQ
DQ19
53
54
55
56
57
58
59
60
61
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
关键
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
名字
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
CB0
CB1
VDD
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
名字
VDDQ
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
VSS
DU
DU
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
WP
SDA
SCL
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
名字
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
A13*
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
BA2*
CB7
A12*
VSS
DQ21
A11
DM2
VDD
DQ22
A8
DQ23
145
146
147
148
149
150
151
152
153
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
关键
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
名字
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4
CB5
VDDQ
CK0
/CK0
VSS
DM8
A10
CB6
VDDQ
CB7
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
名字
/ RAS
DQ45
VDDQ
/CS0
/CS1
DM5
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDDQ
DQ52
DQ53
NC , FETEN *
VDD
DM6
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
*这些此模块上不使用,而是可以用于在184PIN的DIMM家族其它模块
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2
HYMD132G725B(L)8-M/K/H/L
功能框图
/RCS1
/RCS0
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
.
DQS4
DM4
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
D0
D9
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
.
/ CS DQS
D4
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
D13
DQS5
DM5
/ CS DQS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
D1
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
D10
D5
D14
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
D2
D11
D6
D15
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
D3
D12
D7
D16
DQS8
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
D8
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
/ CS DQS
串行PD
SCL
WP
A0
SA0
VDDSPD
VDDQ
VDD
VREF
A1
SA1
A2
SA2
SDA
D17
/CS0
/CS1
BA0-BA1
A0-A11
/ RAS
/ CAS
CKE0
CKE1
/ WE
PCK
/ PCK
R
E
G
/ RCS0 --> / CS0 : SDRAM的D0 - D8
/ RCS1--> / CS1 : SDRAM的D9 - D17
RBA0 - RBA1--> : BA0 - BA1 : SDRAM的D0 -D17
RA0 -R A11 -->A0 - A11 : SDRAM的D0 - D17
/ RRAS --> / RAS : SDRAM的D0 - D17
/ RCAS --> / CAS : SDRAM的D0 - D17
RCKE0 --> CKE : SDRAM的D0 - D8
RCKE1 --> CKE : SDRAM的D9 -D17
/ RWE --> / WE : SDRAM的D0 - D17
/ RESET
CK0 , / CK0 --------- PLL *
*每个时钟负载表/接线图线
VSS
VDDID
.
.
...
=
.
.
..
==
.
.
=
SPD
D0 - D17
D0 - D17
D0 - D17
D0 - D17
表带:见注4
注意事项:
1. DQ到I / O接线可一个字节中的变化
2. DQ / DQS / DM / CKE / S的关系必须是
保持如图所示。
3. DQ / DQS电阻应为18欧姆。
4. VDDID表带连接(存储设备VDD , VDDQ ) ;
表带出: (开) : VDD = VDDQ
表带( VSS) : VDD = VDDQ
5 / RS0和/ RS1备用BTW DIMM的前后侧
6,地址和控制电阻应为22欧姆
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3
HYMD132G725B(L)8-M/K/H/L
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
在V电压
DDQ
相对于V
SS
输出短路电流
功耗
焊接温度/时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
50
18
260 / 10
等级
o
C
o
单位
C
V
V
V
mA
W
o
C /秒
注意:
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
终止电压
参考电压
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
TT
V
REF
符号
( TA = 0 〜70
o
C,电压参考V
SS
=0V)
2.3
2.3
V
REF
+ 0.15
-0.3
V
REF
- 0.04
0.49*VDDQ
典型值。
2.5
2.5
-
-
V
REF
0.5*VDDQ
最大
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
REF
+ 0.04
0.51*VDDQ
单位
V
V
V
V
V
V
3
2
1
注意:
1. V
DDQ
一定不能超过V的电平
DD
.
2. V
IL
(分钟)是可以接受的-1.5V交流脉冲宽度< 5ns的持续时间。
3. V的值
REF
约等于0.5V
DDQ
.
交流工作条件
( TA = 0 〜70
o
C,电压参考V
SS
=0V)
参数
输入高电平(逻辑1 )电压, DQ , DQS和DM信号
输入低电平(逻辑0 )电压, DQ , DQS和DM信号
输入差分电压, CK和/ CK投入
输入交叉点电压, CK和/ CK投入
符号
V
IH (AC)的
V
白细胞介素(AC)的
V
的ID (AC)的
V
IX( AC)
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+ 0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
注意:
1. VID是CK的输入电平与所述输入上/ CK之间的差的量值。
2. VIX的值预计相当于发送装置0.5 * V DDQ和必须跟踪变化的相同的DC电平。
牧师/月0.3 。 02
4
HYMD132G725B(L)8-M/K/H/L
AC运行试验条件
( TA = 0 〜70
o
C,电压参考VSS = 0V )
参数
参考电压
终止电压
AC输入高电平电压(V
IH
,分)
AC输入低电平电压(V
IL
,最大值)
输入定时测量参考电平电压
输出时序测量参考电平电压
输入信号的最大峰值摆幅
最小输入信号斜率
端接电阻器(R
T
)
串联电阻(R
S
)
输出负载电容的访问时间测量(C
L
)
价值
V
DDQ
x 0.5
V
DDQ
x 0.5
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
REF
V
TT
1.5
1
50
25
30
单位
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
pF
牧师/月0.3 。 02
5
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