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IC41C44052-50T 4Mx4位动态RAM具有快速页面模式 (4Mx4 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode)
.型号:   IC41C44052-50T
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描述: 4Mx4位动态RAM具有快速页面模式
4Mx4 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode
文件大小 :   307 K    
页数 : 18 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC41C4405x和IC41LV4405x系列
功能说明
该IC41C4405x和IC41LV4405x是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化,低功率
应用程序。在读或写周期,每个位
通过11或12位地址唯一解决。
这些输入11位( A0 - A10)的时间为2K
同时为4K刷新设备或12位( A0 -A11 )
刷新设备。的行地址由行锁存
地址选通( RAS)的。列地址被锁存
列地址选通( CAS) 。
RAS
用来锁存
第9位,
CAS
使用后者的10比特。
刷新周期
保留数据, 2048刷新周期需要在每
32毫秒的周期,或者4096刷新周期需要在每
64ms的时间。有两种方法来刷新存储器:
1.计时每2048行地址( A0
通过A10 )或4096行地址( A0至A11 )
与RAS每32分别毫秒或64毫秒至少一次。
任何读,写,读 - 修改 - 写或RAS只循环
刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ,
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
循环,一个内部11(12 )比特的计数器提供的行
地址和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式,没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此,输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低,这是
通过返回两个终止
RAS
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期,一旦启动,不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动,直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期(含周期的任意组合
RAS
信号)。
上电过程中,则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ,
为准过去,一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是,在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
WE ,
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ,
以先到为准
最后。
4
集成电路解决方案公司
DR013-0B二零零二年十月十七日
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