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WS512K8-20CC  WS512K8-35CIA  WS512K8-20CM  WS512K8-35CC  WS512K8-20CIA  WS512K8-25CQA  WS512K8-20CQ  WS512K8-25CC  X28C512_06  WS512K8-35CCA  
IC41C8513-35K 512K ×8位动态RAM与快速页面模式 (512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode)
.型号:   IC41C8513-35K
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描述: 512K ×8位动态RAM与快速页面模式
512K x 8 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode
文件大小 :   231 K    
页数 : 17 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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100%
IC41C8513和IC41LV8513
功能说明
该IC41C8513和IC41LV8513是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化,低功率
应用程序。在读或写周期,每个位
通过10位地址唯一解决。这些
输入10位( A0- A9)的时间。行地址是
由行地址选通(RAS)的锁存。列
地址由列地址选通(CAS)的锁存。
RAS
用于锁存所述第一10比特和
CAS
所使用的
后9位。
刷新周期
保留数据, 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器:
1.计时每1024行地址( A0
通过A9 )与
RAS
至少每16毫秒。任何
读,写,读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ,
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期,内部10位计数器提供的AD-行
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式,没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此,输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低,这是
通过返回两个终止
RAS
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期,一旦启动,不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动,直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期(含周期的任意组合
RAS
信号)。
上电过程中,则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ,
为准过去,一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OE
都不满意。其结果是,在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
WE ,
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ,
以先到为准
最后。
4
集成电路解决方案公司
DR028-0A 2001年9月25日
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