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IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
1M ×8低功耗和低V
CC
CMOS静态RAM
特点
?? 55 , 70 , 100 ns的访问时间
• CMOS低功耗运行:
I
CC
= 15毫安(典型值) *操作
I
SB2
=2
µA
(典型值) *待机
??低数据保持电压: 1.5V (分钟)
•输出使能( OE )和两个芯片使
( CE1 , CE2 )输入,便于应用
• TTL兼容的输入和输出
•全静态操作:
无时钟或刷新reguired
??单2.7V - 3.6V电源
•在测试模式下晶圆级烧伤
•可在知道好裸片形式
48引脚8 * 10毫米TF -BGA
*典型值是在V测
CC
= 3.0V ,T
A
=25°C
初步
描述
ICSI
IC62LV1008L和IC62LV1008LL是一个低电压,
1,048,576字×8位, CMOS SRAM 。它是使用制造
ICSI
的低电压,六晶体管( 6T ) , CMOS技术。该
设备是有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功率耗散能
与CMOS输入电平降低下来。此外,易
存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能(
WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62LV1008L和IC62LV1008LL在可知道
良好的裸片和48引脚8 * 10毫米TF- BGA封装。
功能框图
A0-A19
解码器
1024K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年,集成电路解决方案公司
控制
电路
2
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2001年1月3日
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