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BUF11704  BUF07704AIPWP  BUF08821AIPWPRG4  BU9H-103R25BL  BUCK01-350  BU9847GUL-W  BUF08821BIPWPR  BUF11704AIPWPR  BU9883FV-W_1  BUF06704  
IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5〜 VCC + 0.5
-0.3到+4.0
-40至+85
-65到+150
1
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1)(2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25
o
C,F = 1兆赫,V
CC
= 3.0 V
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(2)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
µA
µA
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
注意事项:
1. V
IH ( MAX 。 )
= V
CC
+ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
1. V
白细胞介素(分钟)
=& 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2001年1月3日
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