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描述:
CGM18-6005N  CGM06-2003N  WE301  V61C35C120LI  V61C32J90S  V61C35C70SI  V61C32P120SI  V61C32P70SI  CGM08-2001N  WE32K32-150G2UI  
IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
IC62LV1008L电源特性
(1)
(以上经营范围)
-55
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
= 3.0V , CE1 = V
IL
,CE2=V
IH
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
IH
或CE2
V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
CC
– 0.2V
或CE2
0.2V,
V
IN
V
CC
– 0.2V, V
IN
0.2V
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
MAX 。 MIN 。
30
35
0.2
0.3
35
50
-70
MAX 。 MIN 。
25
30
-100
MAX 。 UNIT
20
25
0.2
0.3
35
50
mA
mA
0.2 —
0.3 —
35
50
I
SB
2
µA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
IC62LV1008LL电源特性
(1)
(以上经营范围)
-55
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
= 3.0V , CE1 = V
IL
,CE2=V
IH
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
IH
或CE2
V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
CC
– 0.2V
或CE2
0.2V,
V
IN
V
CC
– 0.2V, V
IN
0.2V
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
MAX 。 MIN 。
30
35
0.2
0.3
20
25
-70
MAX 。 MIN 。
25
30
-100
MAX 。 UNIT
20
25
0.2
0.3
20
25
mA
mA
0.2 —
0.3 —
20
25
I
SB
2
µA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2002年1月3日
5
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