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IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
-55
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1访问时间
CE2访问时间
OE
存取时间
分钟。
55
10
5
10
10
0
马克斯。
55
55
55
30
20
20
分钟。
70
10
5
0
10
10
0
-70
马克斯。
70
70
70
35
25
25
-100
分钟。马克斯。
100
15
5
0
10
10
0
100
100
100
50
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE1为低-Z输出
t
LZCE
2
(2)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(2)
CE1或CE2为低阻抗输出
注意事项:
1.测试条件假设5 ns以下, 0.4V的输入脉冲电平信号转换时间为2.2V ,输出
装载在图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1 TTL
图1
图2
6
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2001年1月3日
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