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IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
AC测试负载
读周期1号
(1,2)
(地址控制, CE1 =
OE
= V
IL
, CE2 = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
AC波形
读周期2号
(1,3)
(CE1,
OE
CE2控制)
OE ,
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
CE1
t
ACE1/
t
ACE2
t
LZOE
CE2
t
LZCE1/
t
LZCE2
高-Z
t
HZCE
数据有效
DOUT
注意事项:
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ,
CE1 = V
IL
,
CE2 = V
IH
.
3.地址先于或重合的有效使用低CE1和CE2高转换。
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2002年1月3日
7
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