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IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
写周期开关特性
(1,2)
(以上经营范围,标准和低功耗)
符号
参数
写周期时间
CE1
撰写完
CE2撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
-55
分钟。马克斯。
55
50
50
50
0
0
45
25
0
5
30
-70
分钟。马克斯。
70
65
65
65
0
0
55
30
0
5
30
-100
MIN 。 MAX
100
80
80
80
0
0
80
40
0
5
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
1
t
SCE
2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(3)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(3)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设5 ns以下, 0.4V的输入脉冲电平信号转换时间到指定的2.2V输出负载
图1 。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
3.内部写入时间由CE1低, CE2 HIGH和的重叠限定
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
4.与测试
OE
高。
AC波形
写周期NO 。 1
(WE
控制)
(1,2)
t
WC
地址
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
8
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2001年1月3日
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