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BZX79C  BZX79C100  BZX79C10  BZX79C10  
IC62LV1008L-100BI 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM (1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM)
.型号:   IC62LV1008L-100BI
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描述: 1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
文件大小 :   152 K    
页数 : 11 页
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品牌   ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
购买 :   
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100%
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
写周期NO 。 2
( CE1 , CE2控制)
(1,2)
t
WC
地址
t
SA
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
WE
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
注意事项:
1.内部写入时间由CE1低, CE2 HIGH和的重叠限定
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
2. I / O将承担高阻状态,如果
OE
=V
IH
.
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2002年1月3日
9
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