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IC62LV1008L
IC62LV1008LL
文档标题
1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
修订历史
版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
3,2002年一月
备注
初步
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2002年1月3日
1
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
1M ×8低功耗和低V
CC
CMOS静态RAM
特点
?? 55 , 70 , 100 ns的访问时间
• CMOS低功耗运行:
I
CC
= 15毫安(典型值) *操作
I
SB2
=2
µA
(典型值) *待机
??低数据保持电压: 1.5V (分钟)
•输出使能( OE )和两个芯片使
( CE1 , CE2 )输入,便于应用
• TTL兼容的输入和输出
•全静态操作:
无时钟或刷新reguired
??单2.7V - 3.6V电源
•在测试模式下晶圆级烧伤
•可在知道好裸片形式
48引脚8 * 10毫米TF -BGA
*典型值是在V测
CC
= 3.0V ,T
A
=25°C
初步
描述
ICSI
IC62LV1008L和IC62LV1008LL是一个低电压,
1,048,576字×8位, CMOS SRAM 。它是使用制造
ICSI
的低电压,六晶体管( 6T ) , CMOS技术。该
设备是有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功率耗散能
与CMOS输入电平降低下来。此外,易
存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能(
WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62LV1008L和IC62LV1008LL在可知道
良好的裸片和48引脚8 * 10毫米TF- BGA封装。
功能框图
A0-A19
解码器
1024K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年,集成电路解决方案公司
控制
电路
2
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2001年1月3日
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
销刀豆网络gurations
48引脚8 * 10毫米TF -BGA (俯视图)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
I / O
0
GND
VCC
I / O
3
NC
A18
2
OE
NC
NC
I / O
1
I / O
2
NC
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
VCC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
NC
I / O
5
I / O
6
NC
WE
A11
6
CE2
NC
I / O
4
VCC
GND
I / O
7
NC
A19
引脚说明
A0-A19
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
无连接
动力
真值表
模式
未选择
(P
OWER
-D
OWN
)
输出禁用
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V - 3.6V
2.7V - 3.6V
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2002年1月3日
3
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5〜 VCC + 0.5
-0.3到+4.0
-40至+85
-65到+150
1
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1)(2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25
o
C,F = 1兆赫,V
CC
= 3.0 V
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(2)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
µA
µA
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
注意事项:
1. V
IH ( MAX 。 )
= V
CC
+ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
1. V
白细胞介素(分钟)
=& 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
集成电路解决方案公司
LPSR015-0A 2001年1月3日
IC62LV1008L
IC62LV1008LL
IC62LV1008L电源特性
(1)
(以上经营范围)
-55
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
= 3.0V , CE1 = V
IL
,CE2=V
IH
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
IH
或CE2
V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
CC
– 0.2V
或CE2
0.2V,
V
IN
V
CC
– 0.2V, V
IN
0.2V
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
MAX 。 MIN 。
30
35
0.2
0.3
35
50
-70
MAX 。 MIN 。
25
30
-100
MAX 。 UNIT
20
25
0.2
0.3
35
50
mA
mA
0.2 —
0.3 —
35
50
I
SB
2
µA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
IC62LV1008LL电源特性
(1)
(以上经营范围)
-55
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
= 3.0V , CE1 = V
IL
,CE2=V
IH
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
IH
或CE2
V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
V
CC
=最大值, F = 0
CE1
V
CC
– 0.2V
或CE2
0.2V,
V
IN
V
CC
– 0.2V, V
IN
0.2V
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
MAX 。 MIN 。
30
35
0.2
0.3
20
25
-70
MAX 。 MIN 。
25
30
-100
MAX 。 UNIT
20
25
0.2
0.3
20
25
mA
mA
0.2 —
0.3 —
20
25
I
SB
2
µA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
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LPSR015-0A 2002年1月3日
5
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