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集成
电路
系统公司
ICS843002I
F
EMTO
C
™ C
RYSTAL
-
TO
-3.3V, 2.5V
LVPECL ˚F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
•两个3.3V或2.5V的LVPECL输出
•可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
•支持下列输出频率: 212.5MHz ,
187.5MHz , 159.375MHz , 106.25MHz和53.125MHz
• VCO范围:为560MHz - 680MHz的
• RMS相位抖动@ 212.5MHz ( 2.55MHz - 20MHz的) :
0.50ps (典型值)
•全3.3V或2.5V电源模式
• -40 ° C至85°C的工作环境温度
•提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843002I是2输出LVPECL合成
优化生成的光纤通道基准
HiPerClockS ™
时钟的频率,并且是在一个构件
HiPerClockS
TM
系列高性能时钟
从IC解决方案。采用26.5625MHz , 18pF之
并联谐振晶体,以下频率可
基础上产生的2个频率选择引脚( F_SEL [1 :0]) :
212.5MHz , 187.5MHz , 159.375MHz , 106.25MHz和
53.125MHz 。该ICS843002I使用ICS “ FemtoClock
TM
VCO的相位噪声的技术,并且可以实现1ps的或低
典型RMS相位抖动,轻松满足光纤通道的抖动
要求。该ICS843002I打包在一个小的20针
TSSOP封装。
IC
S
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
频率
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
23.4375
输入
M分频器
F_SEL1 F_SEL0
价值
0
0
24
0
1
1
0
1
0
1
0
24
24
24
24
N分频器
价值
3
4
6
12
3
M / N
分频值
8
6
4
2
8
产量
频率
(兆赫)
212.5
159.375
106.25
53.125
187.5
P
IN
A
SSIGNMENT
nc
V
CCO
Q0
nQ0
MR
nPLL_SEL
nc
V
CCA
F_SEL0
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CCO
Q1
nQ1
V
EE
V
CC
nXTAL_SEL
REF_CLK
XTAL_IN
XTAL_OUT
F_SEL1
ICS843002I
20引脚TSSOP
6.5毫米X 4.4毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
Q0
B
LOCK
D
IAGRAM
F_SEL [1 :0]的
下拉
nPLL_SEL
下拉
F_SEL [1 :0]的
2
REF_CLK
下拉
26.5625MHz
1
1
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
nXTAL_SEL
下拉
0
探测器
VCO
637.5MHz
(w/26.5625MHz
参考)
00
01
10
11
÷3
÷4
÷6
÷12
nQ0
Q1
nQ1
0
M = 24 (固定)
MR
下拉
843002AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2006年1月4日
集成
电路
系统公司
ICS843002I
F
EMTO
C
™ C
RYSTAL
-
TO
-3.3V, 2.5V
LVPECL ˚F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
无连接。
输出电源引脚。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时,内部分隔为
复位造成真正的输出QX走低, INVER泰德输出nQx
下拉
变高。当逻辑低电平时,内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
确定合成器是否处于PLL或旁路模式。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
下拉频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出,
XTAL_IN是输入。
下拉LVCMOS / LVTTL参考时钟输入。
CR石英晶体或REF_CLK输入作为PLL的参考与选择
下拉来源。选择低时, XTAL输入。选择REF_CLK HIGH的时候。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
负电源引脚。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
1, 7
2, 20
3, 4
5
名字
nc
V
CCO
Q0 , nQ0
MR
未使用
动力
OUPUT
输入
6
8
9, 11
10, 16
12, 13
14
15
17
18, 19
nPLL_SEL
V
CCA
F_SEL0,
F_SEL1
V
CC
XTAL_OUT ,
XTAL_IN
REF_CLK
nXTAL_SEL
V
EE
NQ1 , Q1
输入
动力
输入
动力
输入
输入
输入
动力
产量
注意:
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
参数
输入电容
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
最大
单位
pF
843002AGI
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2
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集成
电路
系统公司
ICS843002I
F
EMTO
C
™ C
RYSTAL
-
TO
-3.3V, 2.5V
LVPECL ˚F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
73.2 ℃/ W( 0 LFPM )
-65 ℃〜150 ℃的
注:如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
CC
输入,V
I
输出,我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗,
θ
JA
贮藏温度,T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC ç
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±10 % ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.97
2.97
2.97
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.63
3.63
3.63
130
13
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC ç
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
2.625
115
12
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V±10%
OR
2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入
HIGH CURRENT
输入
低电流
REF_CLK , MR,
F_SEL0 , F_SEL1 ,
nPLL_SEL , nXTAL_SEL
REF_CLK , MR,
F_SEL0 , F_SEL1 ,
nPLL_SEL , nXTAL_SEL
测试条件
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= V
IN
= 3.63V或2.625V
V
CC
= 3.63V或2.625V ,
V
IN
= 0V
最小典型
2
1.7
-0.3
-0.3
最大
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.8
0.7
150
单位
V
V
V
V
µA
I
IL
-150
µA
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EMTO
C
™ C
RYSTAL
-
TO
-3.3V, 2.5V
LVPECL ˚F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
T
ABLE
3D 。 LVPECL DC ç
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V±10%
OR
2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
注1 :输出端接50
Ω
到V
CCO
- 2V.
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻(ESR )
旁路电容
驱动电平
注:使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
23.33
测试条件
最低
典型
26.5625
最大
28.33
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±10 % ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
测试条件
F_SEL [1: 0] = 00
f
OUT
输出频率
F_SEL [1: 0] = 01
F_SEL [1:0 ] = 10
F_SEL [1: 0] = 11
t
SK ( O)
输出偏斜;注: 1 , 2
212.5MHz , ( 2.55MHz - 20MHz的)
t
JIT ( φ )
RMS相位抖动(随机) ;
注3
输出上升/下降时间
输出占空比
159.375MHz , ( 1.875MHz - 为20MHz )
106.25MHz , ( 637KHz - 为5MHz )
53.125MHz , ( 637KHz - 为5MHz )
t
R
/ t
F
ODC
20 %至80%
35 0
0.50
0.54
0.68
0.70
650
51
57
最低
186.67
140
93.33
46.67
典型
最大
226.67
170
113.33
56.67
30
单位
MH ž
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
F_SEL [1 :0]的
00
49
F_SEL [1: 0] = 00
43
注1 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注2 :此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 :使用晶振输入测量。
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EMTO
C
™ C
RYSTAL
-
TO
-3.3V, 2.5V
LVPECL ˚F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
F_SEL [1: 0] = 00
F_SEL [1: 0] = 01
F_SEL [1:0 ] = 10
F_SEL [1: 0] = 11
最低
186.67
140
93.33
46.67
0.50
0.55
0.75
0.76
35 0
650
51
57
典型
最大
226.67
170
113.33
56.67
30
212.5MHz , ( 2.55MHz - 20MHz的)
159.375MHz , ( 1.875MHz - 为20MHz )
106.25MHz , ( 637KHz - 为5MHz )
53.125MHz , ( 637KHz - 为5MHz )
20 %至80%
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
f
OUT
输出频率
t
SK ( O)
输出偏斜;注: 1 , 2
RMS相位抖动(随机) ;
注3
输出上升/下降时间
输出占空比
t
JIT ( φ )
t
R
/ t
F
ODC
F_SEL [1 :0]的
00
49
F_SEL [1: 0] = 00
43
注1 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注2 :此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 :使用晶振输入测量。
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

ICS843002AGLF

FEMTOCLOCKS⑩ CRYSTAL-TO-3.3V LVPECL FREQUENCY SYNTHESIZER
11 ICS

ICS843002AGLFT

FEMTOCLOCKS⑩ CRYSTAL-TO-3.3V LVPECL FREQUENCY SYNTHESIZER
10 ICS

ICS843002AGT

FEMTOCLOCKS⑩ CRYSTAL-TO-3.3V LVPECL FREQUENCY SYNTHESIZER
暂无信息
9 ICS

ICS843002AKI-40

175MHZ, FEMTOCLOCKS-TM VCXO BASED SONET/SDH JITTER ATTENUATOR
27 ICS

ICS843002AKI-40

175MHZ, FEMTOCLOCKS-TM VCXO BASED SONET/SDH JITTER ATTENUATOR
20 ICS

ICS843002AKI-40T

175MHZ, FEMTOCLOCKS-TM VCXO BASED SONET/SDH JITTER ATTENUATOR
3 ICS