元器件型号: | 663MLF |
生产厂家: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY |
描述和应用: | PLL BUILDING BLOCK Phase detector and VCO blocks can be used Lower power CMOS process |
PDF文件: | 总8页 (文件大小:218K) |
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型号参数:663MLF参数 | |
Brand Name | Integrated Device Technology |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOIC-8 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | DCG8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
风险等级 | 5.76 |
系列 | 663 |
输入调节 | STANDARD |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.9 mm |
逻辑集成电路类型 | PLL BASED CLOCK DRIVER |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
反相输出次数 | |
端子数量 | 8 |
实输出次数 | 1 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.13 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 3.9 mm |
最小 fmax | 120 MHz |
Base Number Matches | 1 |
PLL BUILDING BLOCK Phase detector and VCO blocks can be used Lower power CMOS process
PLL积木鉴相器和VCO块可用于低功耗CMOS工艺