7007S25JI [IDT]

Dual-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68;
7007S25JI
元器件型号: 7007S25JI
生产厂家: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
描述和应用:

Dual-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68

静态存储器 内存集成电路
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型号参数:7007S25JI参数
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.17
Is SamacsysN
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
长度24.2062 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.345 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.2062 mm
Base Number Matches1